公开(公告)号：CN105206567B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510655501.8

申请日：2015-10-10

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 石龙强

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/823462 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/1635 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。该方法包括：通过第一道光罩图案化第一金属层，以形成间隔设置的栅极和第一导体；通过第二道光罩图案化半导体层和栅极绝缘层，以形成暴露出第一导体的通孔；通过栅极和第一导体图案化半导体层，以形成间隔设置的第一沟道区和第二沟道区；通过第三道光罩图案化第二金属层，以形成间隔设置的源极、漏极和第二导体；其中，第二导体通过通孔与第一导体相接触。通过上述方式，本发明采用一道光罩图案化半导体层和栅极绝缘层，降低了阵列基板的生产成本，另外，本发明能够以相对简单的方式实现第一导体和第二导体的桥接，进而提高阵列基板的生产效率。

公开(公告)号：CN104952984B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410118380.9

申请日：2014-03-27

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触，该碳纳米管膜具有多个间隙，使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露；在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜，该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度，且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面，部分沉积在所述暴露的部分外延生长面；去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模，该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN106373872A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610569727.0

申请日：2016-07-19

Applicant: 超科技公司

Inventor： R·巴蒂亚

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/008 ,  H01G9/07 ,  H01L24/03 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/033

Abstract: 用于基于电极的器件的原子层沉积工艺的掩蔽方法在此被公开，其中焊料被用为掩蔽材料。所述方法包含使具有有源器件区域以及阻挡层的电气器件的电气接触组件暴露，其中阻挡层由原子层沉积工艺所形成。本方法包含沉积焊料元件在电气接触组件上，然后以原子层沉积工艺形成阻挡层。阻挡层会覆盖有源器件区域并且还覆盖分别覆盖电气接触组件的焊料元件。之后焊料元件会被熔融，因而移除覆盖焊料元件的阻挡层的相应部分。类似的方法可用于在形成分层电容器时暴露接触件。

公开(公告)号：CN106252204A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610736892.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

公开(公告)号：CN103258719B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310105928.1

申请日：2008-10-30

Applicant: WJ通信公司

Inventor： 周显辉 ,  陈艳

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0272 ,  H01L21/0331

Abstract: 提供使蚀刻底切最小化并在随后的金属沉积中提供清洁金属剥离的方法。在一个实施例中，首先通过标准光刻技术和在第一显影剂中的抗蚀剂显影将对选定范围的能量敏感的顶部层抗蚀剂图形化，以暴露出部分的底部抗蚀剂层，其对不同的选定范围的能量敏感。然后，通过各向异性蚀刻，利用顶部抗蚀剂层作为蚀刻掩模，去除底部抗蚀剂层的暴露部分，以暴露出部分的下面衬底。使得顶部光致抗蚀剂开口周围的底部抗蚀剂中的底切最小化。然后，将获得的图形化的双层抗蚀剂叠层用作蚀刻掩模，以用于随后的下面衬底材料暴露部分的蚀刻。由于在底部抗蚀剂层中不存在底切，因此使得衬底材料相对于顶部光致抗蚀剂开口边缘的蚀刻底切最小化。

公开(公告)号：CN103871847A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410102750.X

申请日：2014-03-19

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 黄海 ,  洪齐元

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/31058

Abstract: 本发明涉及一种干法刻蚀方法，包括以下步骤，步骤一：首先制造解离气体；步骤二：然后将所述解离气体与带有光刻胶的晶片表面的光刻胶反应，在光刻胶表面形成一层致密的聚合物；步骤三：利用刻蚀气体中产生的等离子体与晶片发生物理或/和化学反应去掉晶片表面没有阻挡层的物质。本发明通过优化干法刻蚀条件，在干法刻蚀的初始阶段，用解离气体与晶片表面的光刻胶发生反应，形成一种致密的，相对于光刻胶来说较硬的聚合物，这种聚合物自身不会带来关键尺寸的偏差，同时还能够部分程度上修复在光刻步骤产生的线条边缘粗糙度，这样一来也会改善干法刻蚀后的晶片线条边缘粗糙度的情况。

公开(公告)号：CN103474329A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310432089.4

申请日：2013-09-22

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 杨玉清 ,  朴承翊 ,  李炳天

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L21/2855 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/43 ,  H01L31/1884 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种膜层图案的制作方法，先在基板上利用可擦除的制剂制作与所需的膜层图案相互补的膜层图案，然后在互补的膜层图案上形成整层的膜层，接着通过清除互补的膜层图案的方式得到所需的膜层图案，相对于传统的采用掩膜板制备膜层图案的方式，省去了曝光显影、以及刻蚀剥离等工艺，可以简化制作工艺；并且，在制作过程中省去了掩膜板的使用，可以降低膜层图案的制作成本。

公开(公告)号：CN1832104A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054986.6

申请日：2006-02-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 李顺普 ,  克里斯托·纽瑟姆 ,  戴维·拉塞尔 ,  托马斯·库格勒

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 提供一种图案化方法，包括：(i)预先图案化衬底上的一层材料，(ii)在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，(iii)干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和被预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，(iv)以这种方式蚀刻干燥后的薄膜：即仅保留在预图案化的材料的侧面周围，及(v)去除预图案化的材料以在衬底上留下脊状薄膜形成物质，脊的图案对应预图案化的材料的轮廓。然后在所得图案化衬底上沉积金属层，随后除去脊，剩下离散的金属区域，这些金属区域形成薄膜晶体管的潜在源极和漏极。然后通过选择性地沉积半导体、绝缘体和导体区而形成薄膜晶体管阵列，其中导体区形成了与每对源极和漏极相关的栅极。

公开(公告)号：CN1645566A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410100749.X

申请日：2004-12-13

Applicant: 因芬奈昂技术股份有限公司

Inventor： 庄豪仁

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/82 ,  H01L21/3213 ,  H01G13/00

CPC classification number: G03F7/0042 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/40

Abstract: 一种制备电容器装置中的硬质掩模的方法及一种用于电容器装置中的硬质掩模，该方法包含如下步骤：向所述电容器装置上涂布光敏溶胶凝胶层，向所述的溶胶凝胶层上形成图案，以形成图案层，和对所述图案层进行热分解处理，以将其转变成为硬质掩模层。

公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。