-
公开(公告)号：CN110072068B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811404209.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/616
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：光电转换器，响应于入射光产生电荷并且向第一节点提供产生的电荷；传输晶体管，基于第一控制信号向浮置扩散节点提供第一节点的电压；源跟随器晶体管，提供浮置扩散节点的电压作为单位像素输出；以及相关双采样器(CDS)，接收单位像素输出并且将单位像素输出转换为数字代码。在第一节点的电压提供到浮置扩散节点时与在CDS被提供作为单位像素输出的第一节点的电压时之间的时间段中，具有第一电压、第二电压和第三电压的第一控制信号保持在第二电压。
-
公开(公告)号：CN114845073A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210041280.5
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备包括生成图像数据的图像传感器和处理图像数据的图像处理器。图像传感器包括像素阵列，像素阵列包括沿着行方向和列方向重复布置的像素。属于像素阵列的行中的第一行的每个像素包括子像素，每个子像素连接到第一传输金属线、第二传输金属线和第三传输金属线中的一个。响应于分别施加到第一传输金属线至第三传输金属线的信号，在像素中属于第一行的像素的子像素处积累的电荷的至少一部分扩散到对应的浮动扩散区域。
-
公开(公告)号：CN110072068A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811404209.9
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：光电转换器，响应于入射光产生电荷并且向第一节点提供产生的电荷；传输晶体管，基于第一控制信号向浮置扩散节点提供第一节点的电压；源跟随器晶体管，提供浮置扩散节点的电压作为单位像素输出；以及相关双采样器(CDS)，接收单位像素输出并且将单位像素输出转换为数字代码。在第一节点的电压提供到浮置扩散节点时与在CDS被提供作为单位像素输出的第一节点的电压时之间的时间段中，具有第一电压、第二电压和第三电压的第一控制信号保持在第二电压。
-
公开(公告)号：CN104681571A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
-
公开(公告)号：CN1913169A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114928.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。该非易失性存储装置包括开关装置和连接到该开关装置的存储节点。该存储节点包括下电极、数据存储层和上电极。该数据存储层包括在第一电压下形成电流路径的第一区和环绕该第一区的第二区，其中在高于第一电压的第二电压下在该第二区内形成电流路径。该第一区置成接触该上电极和该下电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115209070A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210348682.X
申请日：2022-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列和控制逻辑，所述像素阵列包括多个像素组，所述多个像素组中的每一者包括共享单个微透镜的多个单位像素，所述多个像素组中的每一者的所述多个单位像素包括相同颜色的滤色器，所述控制逻辑被配置为：将所述多个像素组中的每一者的所述多个单位像素分组为多个子组，并且针对每个子组驱动所述像素阵列。所述多个子组包括第一子组和第二子组。所述控制逻辑可以被配置为获得对应于所述第一子组的第一图像数据和对应于所述第二子组的第二图像数据，在所述第一方向或所述第二方向上，在所述第一子组与所述第二子组之间设置有至少一个单位像素。
-
公开(公告)号：CN114649356A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111464513.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 公开了一种图像传感器及其像素组和像素阵列。该像素组包括：第一至第四单位像素，呈两个像素行和两个像素列的矩阵形式；以及公共浮置扩散区，在半导体衬底中在像素组的中心并由第一至第四单位像素共用。第一至第四单位像素中的每个包括在半导体衬底中的光电转换元件以及在半导体衬底中并在垂直于半导体衬底的表面的垂直方向上延伸的一对垂直转移栅极。该对垂直转移栅极将光电转换元件收集的光电荷转移到公共浮置扩散区。通过经由公共浮置扩散区的共用结构和垂直转移栅极的对称结构来增大单位像素的感测灵敏度，图像质量得到提高。
-
公开(公告)号：CN112866592A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011051961.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
-
公开(公告)号：CN1913191A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610110772.6
申请日：2006-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种减小并稳定复位电流的存储器件的制造方法。所述存储器件包括由电阻变化材料组成的氧化层，用于稳定复位电流，所述方法包括：在下结构上形成下电极和氧化层；和将电子束或离子束照射到所述氧化层的一区域上。减小并稳定了本发明的存储器件的复位电流。
-
公开(公告)号：CN112866592B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011051961.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/78 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.034 seconds)
