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公开(公告)号：CN103247693B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310047408.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/042
CPC classification number: H01L29/45 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。
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公开(公告)号：CN102253764B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201110033974.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: H03K17/78 , H03K17/941
Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN103914177A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN101192648B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593242C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
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公开(公告)号：CN102904560B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201210201495.5
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K17/78 , H01L27/146 , G06F3/042 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14616 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L29/7869 , H01L31/1136
Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。
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公开(公告)号：CN1964050B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
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