公开(公告)号：CN110634865A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910553241.1

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  李宪福 ,  申忠桓 ,  蔡荣锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。

公开(公告)号：CN109119406A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810383864.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金太烈 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  J.S.金 ,  申忠桓

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种包括电阻器结构的半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其具有垂直于第一方向的上表面；电阻器结构，其包括在衬底上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的电阻器层和在电阻器层上的第二绝缘层；以及电阻器接触，其穿透第二绝缘层和电阻器层。电阻器接触的侧壁相对于第一方向的倾斜角根据离衬底的高度而变化。该半导体器件具有低的接触电阻和窄的接触电阻变化。