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公开(公告)号：CN110299309A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910225551.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。
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公开(公告)号：CN104518029A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410446750.1
申请日：2014-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L21/26586 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66143 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/66712
Abstract: 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽，导电图案可以位于有源区上凹槽中，其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。
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公开(公告)号：CN102903755A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210265563.4
申请日：2012-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/41758 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接触的绝缘层、设置在绝缘层上第一区内与源电极接触的源电极垫以及设置在绝缘层上与第一区隔开的第二区内并与接触漏电极的多个通路接触相接触的漏电极垫。
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公开(公告)号：CN110634865B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910553241.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括在其中具有有源图案的基板、横跨有源图案延伸的栅电极和在有源图案上与栅电极横向相邻的源/漏区。该器件还包括接触结构，该接触结构包括在源/漏区上的第一接触、在第一接触上的第二接触以及在第一和第二接触的侧壁上的间隔物。
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公开(公告)号：CN109427875B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810962227.2
申请日：2018-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 栅极环绕场效应晶体管器件可包括多个纳米结构，所述纳米结构在衬底上方在场效应晶体管器件的沟道区中彼此间隔开。栅极电极可位于具有所述多个纳米结构的栅极环绕构造中且半导体图案可位于栅极电极的一侧上。半导体图案中的接触沟槽中的接触件与硅化物膜可在所述接触沟槽的侧壁上共形地延伸到沟道区中比所述多个纳米结构中最上纳米结构低的水平高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261704B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911003483.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/538 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，所述有源图案在第一方向上延伸；栅电极，位于所述有源图案上，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分；第一接触插塞，位于所述栅电极上，所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面；源极/漏极区，位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中；以及源极/漏极接触，位于所述源极/漏极区上，所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度，并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。
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公开(公告)号：CN110299309B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910225551.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111261704A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911003483.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/538 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，所述有源图案在第一方向上延伸；栅电极，位于所述有源图案上，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分；第一接触插塞，位于所述栅电极上，所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面；源极/漏极区，位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中；以及源极/漏极接触，位于所述源极/漏极区上，所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度，并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。
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公开(公告)号：CN103187378A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210585300.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76897 , H01L23/4824 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：多个第一电极和多个第二电极、在第一绝缘层上并且与所述多个第一电极接触的多个第一通孔电极、在所述第一绝缘层上并且与所述多个第二电极接触的多个第二通孔电极、与所述多个第一通孔电极接触的第一电极焊盘、与所述多个第二通孔电极接触的第二电极焊盘、在第二绝缘层上并且与所述第一电极焊盘接触的多个第三通孔电极、在所述第二绝缘层上并且与所述第二电极焊盘接触的多个第四通孔电极、与所述多个第三通孔电极接触的第三电极焊盘、以及与所述多个第四通孔电极接触的第四电极焊盘。
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公开(公告)号：CN114121948A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110935286.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。
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