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公开(公告)号：CN100376010C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510111917.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , Y02E40/641
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导线材。本发明方法制得的MgB2超导线材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN114883536B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210177076.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种中空纤维管式锂电池正极材料的制备方法，属于锂电池技术领域。本发明所述的锂电池管式正极由作为生管粘接剂的聚合物、作为聚合物溶剂的有机溶剂或离子液体、作为储锂主体的无机粉体、以及表面活性剂制成的；其制备方法采用相转化与高温烧结相结合，工艺简单，成本低廉，便于工业化生产和大规模应用；制造出的锂电池正极中空管具有机械强度大，自支撑，少集流体，少粘接剂，高电子电导率，高活性材料质量占比的优点。
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公开(公告)号：CN114212977B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111550383.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种制备石英玻璃制品的双加热腔高温熔铸装置，保温腔安装在熔铸腔下方，保温腔与熔铸腔分别安装有加热体和温度传感器，隔板安装在保温腔与熔铸腔之间，隔板连接有传动装置，操作台安装在保温腔内部并与升降轴相连，坩埚安装在操作台上。本发明的保温腔与熔铸腔可实现独立加热，通过隔板的移动可控制保温腔与熔铸腔的连通与闭合，通过操作台的升降可控制原料的加热位置，实现石英玻璃原料的分腔加热，缩短石英玻璃原料处于高温液相的时间，减少原料挥发，有利于设备的维护和提高原料利用率，且本发明可在熔铸成型的同时实现热处理消除应力的过程，简化生产流程，缩短生产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114212977A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111550383.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种制备石英玻璃制品的双加热腔高温熔铸装置，保温腔安装在熔铸腔下方，保温腔与熔铸腔分别安装有加热体和温度传感器，隔板安装在保温腔与熔铸腔之间，隔板连接有传动装置，操作台安装在保温腔内部并与升降轴相连，坩埚安装在操作台上。本发明的保温腔与熔铸腔可实现独立加热，通过隔板的移动可控制保温腔与熔铸腔的连通与闭合，通过操作台的升降可控制原料的加热位置，实现石英玻璃原料的分腔加热，缩短石英玻璃原料处于高温液相的时间，减少原料挥发，有利于设备的维护和提高原料利用率，且本发明可在熔铸成型的同时实现热处理消除应力的过程，简化生产流程，缩短生产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109511181A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811078626.9
申请日：2018-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种铜导电电极的石墨烯电热膜及其制备方法，提供一种新型的铜导电电极的石墨烯电热膜，包括基底、覆盖于基底上的石墨烯导电薄膜、上层基底，石墨烯导电薄膜上表面靠近边缘两侧分别设有铜导电电极，铜导电电极与石墨烯导电薄膜接触的一面涂覆有一层石墨烯浆料，石墨烯导电基底和上层基底覆膜采用胶粘剂紧密连接。本发明在传统的铜导电电极表面涂覆一层石墨烯浆料，使得铜导电电极导电性能得到提升，将石墨烯涂覆的铜导电电极用胶粘剂胶贴在石墨烯热电膜的表面，其具有和传统采用银涂覆的铜导电电极的石墨烯热电膜一样良好的导电效果。与传统工艺相比，简化了印刷导电银浆的制备工艺，结构简单，操作易行，有利于产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108295870A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810086455.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
IPC: B01J27/051 , C25B1/04 , C25B11/06
CPC classification number: Y02E60/366 , B01J27/051 , B01J27/0515 , B01J35/0033 , C25B1/04 , C25B11/04
Abstract: 本发明公开了一种硫化物-石墨烯复合材料光电催化剂的制备方法，先将氧化石墨烯粉末于水中分散，得到氧化石墨烯分散液；再向分散液中加入可溶性金属盐，静置之后，洗涤沉淀物、干燥、研磨，得到金属离子掺杂的氧化石墨烯粉末；再将其再次分散在去离子水中，搅拌后，加入硫化物前驱体盐溶液，加入硫脲并搅拌，再通过一步水热法得到反应产物，自然冷却至室温后，将反应产物离心洗涤，干燥得到固体粉末。本发明合成硫化物/石墨烯复合物制备方法简单，将金属离子作为硫化物与石墨烯表面的界面连接剂及硫化物生长的种子层，促进了硫化物片层均匀分散，抑制石墨烯片层的堆叠，大的比表面积可提供较多的活性位点，继而有效提高复合材料的催化性能。
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公开(公告)号：CN108163866A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810086193.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , C01B35/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆硼粉制备二硼化镁超导块材的方法，步骤如下：将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再对混合粉体经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备成所需形状的前驱体；再将前驱体和镁粉一起密封入铁管中得到装管复合体；再将装管复合体进行热处理，得到二硼化镁超导块体。本发明将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过类石墨相氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2块体材料。
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公开(公告)号：CN100376009C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510111916.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导块材。本发明方法制得的MgB2超导块材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN101016158A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510111919.9
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15％加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10－300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN1794366A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111917.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , Y02E40/641
Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导线材。本发明方法制得的MgB2超导线材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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