公开(公告)号：CN118777365A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410757459.X

申请日：2024-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  朱昊睿 ,  简毛亮 ,  田博清 ,  马琰

IPC: G01N25/20 ,  G06F17/18

Abstract: 本申请公开一种瞬态热测试中冷却曲线的分段拟合方法及设备，涉及电子器件热性能测试领域，包括：基于第一节点和第二节点的初始位置，以及，第三节点的具体位置，将温度变化曲线划分为第一阶段曲线和第二阶段曲线；对第一阶段曲线上的数据采用平方根拟合，以及，对第二阶段曲线上的数据采用指数拟合，得到初步拟合曲线；保持第一节点的初始位置不变，执行第一流程直至第二节点的位置达到第一设定位置；当第二节点的位置达到第一设定位置时，执行第二流程直至第一节点的位置达到第二设定位置；基于第一节点和第二节点的最优位置，以及，第三节点的具体位置，重新划分温度变化曲线并分段拟合，得到拟合冷却曲线。本申请提高了冷却曲线的拟合精度。

公开(公告)号：CN113702793B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111014636.8

申请日：2021-08-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  张驰 ,  简毛亮 ,  张建华

IPC: G06F17/13 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果。本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。

公开(公告)号：CN111999360B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202010904084.7

申请日：2020-09-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  王朋厂 ,  简毛亮 ,  张弛 ,  张建华

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N27/38

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种石墨烯基非酶葡萄糖传感器及其制备方法和应用。本发明提供了一种石墨烯基非酶葡萄糖传感器，包括铜基板、生长在所述铜基板表面的石墨烯薄膜、散布在石墨烯薄膜表面的二维层状结构化合物和铜纳米粒子外层。在本发明中，石墨烯是一种二维纳米材料，具有高比表面积、导电性优异和生物兼容性优异的特点，有利于提高传感器的灵敏度；二维层状结构化合物其具有较大的比表面积、良好的导电性、稳定性和机械性能；铜纳米粒子具有大的表面体积比和电子性能，能够与二维层状结构化合物协同修饰传感器衬底‑电极组合，帮助生物识别，以增加靶标结合，放大信号并由此提高传感器的灵敏度、稳定性和扩大检测范围。

公开(公告)号：CN113447788A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110719753.8

申请日：2021-06-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  简毛亮 ,  张建华

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET瞬态热测试方法及装置，设定试验参数，向碳化硅MOSFET栅极施加正电压，经过一个门及延迟后，对碳化硅MOSFET施加加热电流进行加热，加热一定时间后，完成加热，施加测试电流，同时过一个门及延迟后，向碳化硅MOSFET栅极施加负电压，开始测试碳化硅MOSFET。当加热完成经过测试延迟后，开始采集热测试信号，得到碳化硅MOSFET的漏极和源极之间的电位差。正电压和负电压由栅极电压源提供，加热电流由加热电流源提供并由第一开关控制，测试电流由测试电流源提供并由第二开关控制。本方法解决了瞬态热测试过程中待测电压信号出现振荡现象的问题，提高了碳化硅MOSFET瞬态热测试的准确性。

公开(公告)号：CN113390937A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110654240.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  吴马佳奇 ,  张驰 ,  简毛亮 ,  张建华

IPC: G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种可穿戴柔性印刷电极及其制备方法，通过在PI薄膜上制备多层石墨烯薄膜能有效改善柔性衬底PI的水氧阻隔的效果，同时石墨烯薄膜几乎不会对聚合物衬底的柔韧性产生影响，石墨烯薄膜优良的散热性能有助于印刷电极的散热，保证印刷电极的工作稳定性；同时，由于非晶硅牺牲层的引入，提高了PI衬底的激光剥离性能，从而使激光剥离对PI衬底结构的影响达到最小；而且，由于PI衬底背胶的引入，使得该柔性印刷电极具有一定的粘附性更加利于穿戴。