碳纳米管组合物、半导体元件及无线通信装置

    公开(公告)号:CN113557212B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202080019266.4

    申请日:2020-02-06

    Abstract: 本发明提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明的碳纳米管组合物是包含具有(1)~(2)的特征的碳纳米管,且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm~1100nm的范围内的吸收光谱中,在波长600nm~700nm的范围显示最低的吸光度,并且在波长900nm~1050nm的范围显示最高的吸光度,上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析,以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高

    碳纳米管组合物、半导体元件及无线通信装置

    公开(公告)号:CN113557212A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202080019266.4

    申请日:2020-02-06

    Abstract: 本发明提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明的碳纳米管组合物是包含具有(1)~(2)的特征的碳纳米管,且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm~1100nm的范围内的吸收光谱中,在波长600nm~700nm的范围显示最低的吸光度,并且在波长900nm~1050nm的范围显示最高的吸光度,上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析,以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高度比((D/G)D/G×100的值)为3.33以下。

    含碳纳米管组合物的制造方法

    公开(公告)号:CN107614426B

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201680031380.2

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 本发明涉及的含碳纳米管组合物的制造方法,将二茂铁衍生物、硫化合物、碳源和载气导入到处于超过1200℃且1800℃以下的温度范围内的加热炉内的流动着的气相中来合成碳纳米管集合体,其特征在于,所述碳源实质上由苯或甲苯构成,所述载气中包含在10体积%以上85体积%以下的范围内的氢气,所述载气的线速度在230cm/分钟以上2200cm/分钟以下的范围内。

    含碳纳米管组合物的制造方法

    公开(公告)号:CN107614426A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680031380.2

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 本发明涉及的含碳纳米管组合物的制造方法,将二茂铁衍生物、硫化合物、碳源和载气导入到处于超过1200℃且1800℃以下的温度范围内的加热炉内的流动着的气相中来合成碳纳米管集合体,其特征在于,所述碳源实质上由苯或甲苯构成,所述载气中包含在10体积%以上85体积%以下的范围内的氢气,所述载气的线速度在230cm/分钟以上2200cm/分钟以下的范围内。

    透明导电层合体及其制造方法

    公开(公告)号:CN102822092B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201180015736.0

    申请日:2011-10-28

    Abstract: 本发明提供一种透明导电层合体,其在透明基材上具有含有碳纳米管的导电层,其特征在于,满足如下[A]~[C]的至少一项,并且在60℃、相对湿度90%的条件下进行1小时湿热处理、接着在25℃、相对湿度50%的条件下放置3分钟后的表面电阻值相对于该处理前的表面电阻值的比例为0.7~1.3。所述[A]~[C]项为:[A]当白反射率为75%时表面电阻值为1.1×103Ω/□以下;[B]当碳纳米管层吸光率为5%时表面电阻值为1.1×103Ω/□以下;[C]当全光线透过率为90%时表面电阻值为1.1×103Ω/□以下。本发明可以提供一种透明导电性高且电阻值稳定性优异的、使用碳纳米管作为导电材料的透明导电层合体。

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