发光二极管及发光二极管制造方法

    公开(公告)号:CN104377284B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201310352606.7

    申请日:2013-08-14

    CPC classification number: H01L33/04 B82Y30/00 H01L33/007 H01L33/02 Y10S977/742

    Abstract: 一种发光二极管,包括蓝宝石基板,其表面形成有多个凸起。蓝宝石基板的具有凸起的表面上形成有未掺杂的GaN层。多个碳纳米管覆盖在未掺杂的GaN层的表面上,且相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面。N型GaN层形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管。活性层以及P型GaN层依次形成在N型GaN层表面。所述碳纳米管可使到N型GaN层形成侧向生长,从而降低N型GaN层中的晶体缺陷。同时,由于碳纳米管的电阻率小于N型GaN层,其可使电流迅速扩散到N型GaN层的各个区域,从而提高了其的电流扩散性能。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。

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