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公开(公告)号:CN107039103B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201611036979.3
申请日:2016-11-23
Applicant: 矢崎总业株式会社 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: H01B1/04 , B82Y30/00 , C01B32/168 , Y10S977/742 , Y10S977/81 , Y10S977/932
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管复合材料。碳纳米管复合材料(1)包含:金属基材(10),其由多个棒状金属晶粒(11)的取向为相同方向的多晶体构成;和碳纳米管导电路径部(20),其由具有掺杂剂的掺杂碳纳米管构成,在金属基材(10)的横截面中存在于棒状金属晶粒(11)间的晶界(15)的一部分,并且沿着金属基材(10)的长边方向(L)存在,从而形成在金属基材(10)的长边方向导电的导电路径。
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公开(公告)号:CN106660783B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201580022045.1
申请日:2015-02-27
Applicant: 南洋理工大学
CPC classification number: B01D15/426 , B01D15/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , Y10S977/742 , Y10S977/845 , Y10S977/932
Abstract: 在各种实施例中,可以提供一种从金属单壁碳纳米管分离半导体单壁碳纳米管的方法。该方法可包括步骤:(a)使碳纳米管分散体通过带电材料。所述分散体可以包括半导体碳纳米管和金属单壁碳纳米管的混合物。该方法可进一步包括(b)在(a)后,使洗脱溶液通过带电材料。该方法还可以包括(c)收集洗出液,其包括半导体碳纳米管或半导体碳纳米管和金属碳纳米管的混合物。
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公开(公告)号:CN104302707B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201380025508.0
申请日:2013-05-14
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/04 , C08L21/00 , H01B1/24
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08K2201/006 , Y10S977/742 , Y10S977/783 , Y10S977/932 , C08L27/16
Abstract: 本发明的导电性组合物含有膨胀石墨、碳纳米管及高分子化合物,在将膨胀石墨及高分子化合物的总量设为100重量份时,膨胀石墨的含量为30重量份以上且70重量份以下,碳纳米管的含量为0.5重量份以上且10重量份以下。
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公开(公告)号:CN105282963B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201510364402.4
申请日:2015-06-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P3/10 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01P3/122 , H01P9/006 , H01Q1/368 , H01Q1/38 , H01Q1/40 , Y10S977/742
Abstract: 本发明的目的在于提供一种交流电阻小的高频传输线路、天线以及电子电路基板。高频传输线路(2)的特征在于:传输交流电信号,包含金属以及碳纳米管,碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路(2)的截面的周缘部(8)。
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公开(公告)号:CN107835711A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201680040619.2
申请日:2016-10-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B01J2/20 , B01F7/022 , B01F7/08 , B01F15/0289 , B30B11/22 , B30B11/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , Y10S977/742 , Y10S977/842
Abstract: 根据本发明的用于制造碳纳米管颗粒的设备提供了仅使用少量溶剂就提高了表观密度的碳纳米管颗粒。采用根据本发明的制造设备制造的碳纳米管颗粒能够改善可由粉末飞散引起的各种问题,并且由于高的表观密度而在运输、运送和改进方面更有优势,从而可以更有效地应用于碳纳米管复合材料的制造中。
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公开(公告)号:CN104952989B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201410115667.6
申请日:2014-03-26
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L29/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L29/0673 , Y10S977/742
Abstract: 本发明涉及一种外延结构,其包括:一基底,所述基底具有一外延生长面;一外延层,所述外延层设置于所述基底的外延生长面;以及一纳米管膜,所述纳米管膜设置于该基底与外延层之间,所述纳米管膜包括多个有序排列的纳米管相互连接形成一自支撑的膜结构,其中,所述多个纳米管间隔设置的地方定义多个开口,且所述多个纳米管相互接触的地方通过离子键结合。
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公开(公告)号:CN107250036A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201680010634.2
申请日:2016-02-23
Applicant: 应用科学技术大学格奥尔格·西蒙·欧姆
IPC: C01B32/174 , C08K7/24
CPC classification number: C01B32/174 , B01F17/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C08F8/30 , C08J3/05 , C08J2325/06 , C08K3/041 , C08K2201/001 , C08K2201/011 , C09K5/14 , H01B1/24 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , C08K7/24
Abstract: 本发明涉及一种在分散介质中的碳纳米材料的分散体,其中分散介质包含缺电子化合物。本发明还涉及缺电子化合物在分散介质中用于改变碳纳米材料在分散介质中的分散行为的应用。最后,本发明涉及一种用于制备含聚合物的材料的方法,其中分散体与聚合物相混合。
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公开(公告)号:CN104377284B
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201310352606.7
申请日:2013-08-14
Applicant: 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y30/00 , H01L33/007 , H01L33/02 , Y10S977/742
Abstract: 一种发光二极管,包括蓝宝石基板,其表面形成有多个凸起。蓝宝石基板的具有凸起的表面上形成有未掺杂的GaN层。多个碳纳米管覆盖在未掺杂的GaN层的表面上,且相邻及交错的碳纳米管之间形成间隙以暴露出未掺杂的GaN层的部分表面。N型GaN层形成在未掺杂的GaN层的未被碳纳米管所覆盖的表面并侧向生长至覆盖所述碳纳米管。活性层以及P型GaN层依次形成在N型GaN层表面。所述碳纳米管可使到N型GaN层形成侧向生长,从而降低N型GaN层中的晶体缺陷。同时,由于碳纳米管的电阻率小于N型GaN层,其可使电流迅速扩散到N型GaN层的各个区域,从而提高了其的电流扩散性能。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。
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公开(公告)号:CN105448620B
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201410327650.7
申请日:2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 一种场发射阴极,包括:微通道板,该微通道板绝缘且具有多个开孔,该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面,每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面;阴极电极,该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面;以及阴极发射体,该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接;其特征在于,每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体,该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁,该多个阴极发射体包括多个碳纳米管,至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号:CN104460139B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201410856122.0
申请日:2014-12-31
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G06F3/044
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , Y10S977/742
Abstract: 本发明公开了一种触控显示装置及电子设备,触控显示装置包括顺次设置的感测层、绝缘层和公共电极层,公共电极层包括驱动区、悬浮区和驱动引线,感测层包括悬浮连接线。本发明中,驱动区电极间通过公共电极层中的驱动引线连接,悬浮区电极间通过分布在感测层和绝缘层中的悬浮引线电连接,从而有效地减少了挖孔的工艺难度,简化了产品结构,提高了良品率。
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