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公开(公告)号:CN116779735A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310873171.4
申请日:2023-07-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点光致发光的红光谐振腔Micro‑LED及其制备方法,其Micro‑LED包括由下至上依次布置的衬底、第三键合金属层、第一反射层和电流扩展层,在电流扩展层上设有凸台状的氮化镓外延层,所述氮化镓外延层包括由上至下依次布置的n‑GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p‑GaN层,在电流扩展层上沉积有向n‑GaN层顶部延伸布置的绝缘层,在绝缘层上设有与电流扩展层和n‑GaN层相对接的电极层,在n‑GaN层上由下至上依次设有量子点薄膜层、第二反射层和蓝光吸收层。本发明所产生的红光发光效率和亮度得到提升;可对红光进行出光角度及光谱宽度的调制,从而实现高效率、高光效、极窄光谱半峰宽以及小的光分布角。
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公开(公告)号:CN116613266A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310606115.4
申请日:2023-05-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种医学光动力治疗用Micro‑LED光源及其制备方法,其Micro‑LED光源包括若干呈矩形阵列分布的Micro‑LED芯片和集成在Micro‑LED芯片上的窄带滤波器,所述Micro‑LED芯片包括由下至上依次布置的硅衬底、反射镜金属层、P型GaN层、量子阱层和N型GaN层,在反射镜金属层上沉积有向N型GaN层侧壁延伸布置的SiO2钝化层,在SiO2钝化层和N型GaN层上分别设置有欧姆接触金属,窄带滤波器包括由下至上依次布置在N型GaN层上的介质层和滤波器金属层,在滤波器金属层内布置有若干呈周期分布的圆孔。本发明通过在滤波器表面激发等离激元振荡对光场进行调控,实现极窄光谱和高透射率光的输出;用金属反射镜代替ITO导电层,降低芯片整体电阻率,进一步提升发光效率和亮度。
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公开(公告)号:CN116594092A
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310606117.3
申请日:2023-05-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种十字孔结构可调发光颜色滤波器及其制备方法,其滤波器包括由下至上依次布置的基底层、第一介质层、第二介质层和金属层,在金属层内布置有若干呈矩形阵列分布的十字孔,该十字孔由两条等长等宽的直线段垂直相交而成,所述直线段的长度为相邻两个十字孔中心点间间距的0.65倍,所述直线段的宽度为相邻两个十字孔中心点间间距的(0.5×0.65)倍。本发明周期结构参数改变,其产生的谐振波长将发生改变,从而实现不同波段滤光,通过调节周期等结构参数可以满足可见光段波段滤波。对不同入射角度的偏振光不敏感,在保留高效滤光效果前提下,且具备极好的偏振无关性。更利于微小尺寸光源器件集成。能实现的分辨率更高。
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公开(公告)号:CN222814792U
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202421508301.0
申请日:2024-06-28
Applicant: 中南大学
IPC: H10H20/841 , H10H20/855
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现光线动态偏转的Micro‑LED器件,包括由下至上依次布置的Micro‑LED发光单元、DBR反射单元和光束偏转层单元,所述光束偏转层单元包括由下至上依次布置的第一ITO层、第一液晶层、第二ITO层、SiO2晶体层、第三ITO层、第二液晶层和第四ITO层,在第一液晶层内设有若干沿x轴方向周期布置的第一偏转单元,所述第一偏转单元由若干横截面面积沿x轴方向依次增加的第一纳米柱组成,在第二液晶层内设有若干沿y轴方向周期布置的第二偏转单元,所述第二偏转单元由若干横截面面积沿y轴方向依次增加的第二纳米柱组成。本实用新型可实现光线动态偏转,灵活性得到了增强,节省空间,降低了成本。
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公开(公告)号:CN222867651U
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202421762086.7
申请日:2024-07-24
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/603
Abstract: 本实用新型公开了一种引线键合真空吸装定位夹具,它包括底座、置放板、压板、压紧件和锁紧件;置放板固定于底座上,置放板上开有真空吸槽;压板盖于置放板上,将各真空吸槽隔开,压板通过可调压紧位置和压紧力度的压紧件和锁紧件固定于置放板上。本实用新型通过改善后的压板形成多个单点压固窗口,使压板压合于加热块及引线框架上时,每个压固窗口对应压合于一个芯片周围的芯片引线焊接区上,且能够保证每颗芯片的引脚都受到所述压固窗口的底部压口固定,避免引脚浮动并留出足够的焊线空间进行引线键合,有效提高引线键合制程的键合质量与产品良率。
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