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公开(公告)号：CN106601884A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610946967.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 中南民族大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0087 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/28
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。
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公开(公告)号：CN206210826U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621171331.2
申请日：2016-10-26
Applicant: 中南民族大学
Abstract: 本实用新型公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。
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公开(公告)号：CN209745802U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920251579.7
申请日：2019-02-28
Applicant: 中南民族大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于光声光谱的苹果内部品质检测装置，属于水果内部品质检测领域。本装置是：红外激光器组、光纤合束器、光纤准直器、转接件和探头式光声腔依次连通；在探头式光声腔的尾端通过紧固螺母固定嵌入的硅胶吸盘，在硅胶吸盘的正前方放置有苹果；在探头式光声腔首端的侧面设置有传声器；传声器、控制与信号处理电路和触摸屏依次连接；红外激光器组和控制与信号处理电路相互连接。本实用新型通过使用红外激光器组加光纤合束器的组合、光纤准直器和自行设计的探头式光声腔；在具备光声光谱技术灵敏度高、样品无需预处理、样品无损和可测光谱范围广特点的同时，该系统拥有检测精度高、系统稳定性强和方便实用的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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