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公开(公告)号:CN106653268A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611150742.8
申请日:2016-12-14
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0085 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2999/00 , H01F1/0576 , H01F41/0266 , B22F2202/05
Abstract: 本发明公开了一种具有晶界多层结构的高性能烧结Nd‑Fe‑B磁体的制备方法及其制备的产品,目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控,导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重等问题。本发明制备的磁体多层晶界结构,分布在主相晶粒边界的重稀土薄壳层具有较高的磁晶各向异性场,因此能够抑制在反向磁场中晶界薄弱区域的磁畴反转,进而提高磁体的矫顽力和高温稳定性。同时,重稀土薄壳层只分布在主相晶粒边界,很少扩散到主相和晶界中心区域,能大大减少重稀土用量,降低磁体生产成本。另外,本发明磁体中高电位晶界中心层的形成,能缩小晶界相与Nd2Fe14B主相的电极电位差,减小电化学腐蚀驱动力,明显提高磁体的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号:CN106601401A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611150726.9
申请日:2016-12-14
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
CPC classification number: H01F1/0577 , H01F41/0253
Abstract: 本发明公开了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品,目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控,导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重,而随着磁体用量的剧增,将导致有限的稀土资源大量消耗的问题。本发明中,采用双合金工艺和二次烧结技术,实现了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备。本发明制备的磁体具有双主相结构,即同时具有Nd2Fe14B主相和(La,Nd)2Fe14B/(Ce,Nd)2Fe14B主相;且晶界相具有重稀土薄壳层/含高丰度稀土的高电位晶界中心层/重稀土薄壳层多层晶界结构。本发明在实现了高丰度稀土充分利用的基础上,通过对晶界结构的精细调控,实现了磁体磁性能和抗腐蚀性能的全面提高,具有较高的应用价值和经济价值。
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公开(公告)号:CN105241945A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510642797.X
申请日:2015-09-30
Applicant: 中国工程物理研究院材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于铀酰离子检测的传感器、其制备方法及应用,目的在于解决现有方法检测铀酰离子存在分析成本高、设备造价昂贵、仪器笨重等缺陷的问题。本发明属于铀酰离子检测领域,该传感器包括金电极、设置在金电极上的敏感层。本发明首次提出了利用DNA酶和目标催化发卡组装放大策略来探测铀酰离子的方法,其基于UO22+-特异性DNA酶和目标催化发卡组装技术来实现UO22+的超灵敏探测。本发明通过结合目标催化发卡组装的放大技术,UO22+选择性得到了极大改善。经过优化后,该传感器探测限值为2pM,远远低于其他方法的探测限值。本发明提供了一种简单、方便、在线和实时探测铀的超灵敏的传感器及检测铀酰离子的方法,对于铀酰离子的检测,具有重要的意义。
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