一种用于铀酰离子检测的传感器、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN105241945B

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201510642797.X

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于铀酰离子检测的传感器、其制备方法及应用,目的在于解决现有方法检测铀酰离子存在分析成本高、设备造价昂贵、仪器笨重等缺陷的问题。本发明属于铀酰离子检测领域,该传感器包括金电极、设置在金电极上的敏感层。本发明首次提出了利用DNA酶和目标催化发卡组装放大策略来探测铀酰离子的方法,其基于UO22+‑特异性DNA酶和目标催化发卡组装技术来实现UO22+的超灵敏探测。本发明通过结合目标催化发卡组装的放大技术,UO22+选择性得到了极大改善。经过优化后,该传感器探测限值为2 pM,远远低于其他方法的探测限值。本发明提供了一种简单、方便、在线和实时探测铀的超灵敏的传感器及检测铀酰离子的方法,对于铀酰离子的检测,具有重要的意义。

    一种快速高效活化ZrCo基氢同位素贮存材料的方法

    公开(公告)号:CN105385975B

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201510836836.X

    申请日:2015-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种快速高效活化ZrCo基氢同位素贮存材料的方法,包括:(1)将初次使用或性能衰减后的ZrCo基合金于室温~500℃的范围内进行抽真空预处理;(2)充入10~500kPa的高纯氢气,并使预处理后的ZrCo基合金于室温~400℃的范围内进行吸氢处理;(3)将吸氢至饱和的ZrCo基合金于350~500℃的范围内进行脱氢处理,得到活化后的ZrCo基合金。本发明方法简单、活化效果突出,能够有效缩短ZrCo基合金在实际应用过程中的活化时间,使ZrCo基合金在初次使用时或性能衰减后具有全新的氢同位素储存活性,这对于促进ZrCo合金在氢同位素储存领域的应用和推广来说,具有重要的意义。

    一种防氚渗透阻挡层的制备方法

    公开(公告)号:CN105803372A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610369632.4

    申请日:2016-05-27

    CPC classification number: C23C2/12 C23C2/28 C23C2/30

    Abstract: 本发明提供一种防氚渗透阻挡层的制备方法。该制备方法包括以下步骤:将基体进行表面处理;提供包含上层的熔盐相和下层的铝液相的浸渍液,将经所述表面处理的基体置入所述铝液相中进行浸渍;将经所述浸渍的基体进行热氧化;将经所述热氧化的基体进行后热处理。本发明的制备方法,在浸渍液的铝液相的上层覆盖熔盐相,熔盐相能对浸渍的铝液起到较好的保护作用,以避免所制备的防氚渗透阻挡层的质量较差,比如存在贯穿裂缝、孔洞等现象,并且氚渗透减低因子较低。

    基于目标分子发卡组装的铀酰离子传感器、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN105372321B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201510751366.7

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于链式扩增反应(HCR)和DNA酶的基于目标分子发卡组装的铀酰离子传感器、其制备方法及应用,目的在于解决目前传统检测铀的仪器存在分析成本高、设备昂贵、仪器笨重等缺点,现有用于探测水溶液中铀酰离子的化学和生物传感器存在灵敏度和选择性不高的问题。该传感器包括金电极、设置在金电极上的敏感层,敏感层为通过Au‑S键修饰到金电极表面的铀酰离子特异性DNA酶。本发明首次提出了利用DNA酶和HCR放大策略来探测铀酰离子的方法,结合UO22+‑特异性DNA酶和HCR放大技术,本发明的探测限值为20 pM,能够超灵敏检测铀酰离子,有效解决了现有化学和生物传感器所存在的灵敏度和选择性不高的问题。同时,本发明具有简单、方便、易于携带,能实时、在线检测铀酰离子的浓度,具有较好的应用前景。

    一种快速高效活化ZrCo基氢同位素贮存材料的方法

    公开(公告)号:CN105385975A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510836836.X

    申请日:2015-11-26

    CPC classification number: C22F1/186 C22F1/10

    Abstract: 本发明公开了一种快速高效活化ZrCo基氢同位素贮存材料的方法,包括:(1)将初次使用或性能衰减后的ZrCo基合金于室温~500℃的范围内进行抽真空预处理;(2)充入10~500kPa的高纯氢气,并使预处理后的ZrCo基合金于室温~400℃的范围内进行吸氢处理;(3)将吸氢至饱和的ZrCo基合金于350~500℃的范围内进行脱氢处理,得到活化后的ZrCo基合金。本发明方法简单、活化效果突出,能够有效缩短ZrCo基合金在实际应用过程中的活化时间,使ZrCo基合金在初次使用时或性能衰减后具有全新的氢同位素储存活性,这对于促进ZrCo合金在氢同位素储存领域的应用和推广来说,具有重要的意义。

    一种防氚渗透阻挡层的制备方法

    公开(公告)号:CN105803372B

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201610369632.4

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 本发明提供一种防氚渗透阻挡层的制备方法。该制备方法包括以下步骤:将基体进行表面处理;提供包含上层的熔盐相和下层的铝液相的浸渍液,将经所述表面处理的基体置入所述铝液相中进行浸渍;将经所述浸渍的基体进行热氧化;将经所述热氧化的基体进行后热处理。本发明的制备方法,在浸渍液的铝液相的上层覆盖熔盐相,熔盐相能对浸渍的铝液起到较好的保护作用,以避免所制备的防氚渗透阻挡层的质量较差,比如存在贯穿裂缝、孔洞等现象,并且氚渗透减低因子较低。

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