公开(公告)号：CN111900520B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202010519131.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李宏军 ,  要志宏 ,  申晓芳 ,  钱丽勋 ,  田秀伟 ,  杨志 ,  董春晖 ,  王胜福 ,  李丰 ,  付兴中 ,  周名齐 ,  周少波 ,  郭磊明 ,  宋志刚 ,  聂轶

IPC: H01P3/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种硅基微同轴延时线芯片，该硅基微同轴延时线芯片包括：封装集成的第一基片、第二基片和第三基片；第一基片设置有第一凹槽和第一通孔阵列；第二基片设置有环形硅片，环形硅片上设置有第二通孔阵列；第三基片上设置有第二凹槽和第三通孔阵列；第二凹槽包括转接凹槽和第三凹槽；转接凹槽设置有芯子引出结构；第一基片、第二基片、第三基片通过金属层键合连接，第一凹槽、环形硅片、第三凹槽形成包围芯子硅片的空腔；空腔内填充空气，构成硅基微同轴延时线结构。上述硅基微同轴延时线芯片可通过将微延时线芯片中的芯子硅片进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。

公开(公告)号：CN111900522A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010519994.3

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 钱丽勋 ,  王文军 ,  李宏军 ,  王建志 ,  申晓芳 ,  杨志 ,  付兴中 ,  董春辉 ,  王胜福 ,  李丰 ,  梁敬庭 ,  周名齐 ,  周少波 ,  陈旭东 ,  石晶晶

IPC: H01P3/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列。通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。

公开(公告)号：CN111900520A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010519131.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 李宏军 ,  要志宏 ,  申晓芳 ,  钱丽勋 ,  田秀伟 ,  杨志 ,  董春辉 ,  王胜福 ,  李丰 ,  付兴中 ,  周名齐 ,  周少波 ,  郭磊明 ,  宋志刚 ,  聂轶

IPC: H01P3/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供了一种硅基微同轴延时线芯片，该硅基微同轴延时线芯片包括：封装集成的第一基片、第二基片和第三基片；第一基片设置有第一凹槽和第一通孔阵列；第二基片设置有环形硅片，环形硅片上设置有第二通孔阵列；第三基片上设置有第二凹槽和第三通孔阵列；第二凹槽包括转接凹槽和第三凹槽；转接凹槽设置有芯子引出结构；第一基片、第二基片、第三基片通过金属层键合连接，第一凹槽、环形硅片、第三凹槽形成包围芯子硅片的空腔；空腔内填充空气，构成硅基微同轴延时线结构。上述硅基微同轴延时线芯片可通过将微延时线芯片中的芯子硅片进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。