公开(公告)号：CN111900522B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010519994.3

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 钱丽勋 ,  王文军 ,  李宏军 ,  王建志 ,  申晓芳 ,  杨志 ,  付兴中 ,  董春晖 ,  王胜福 ,  李丰 ,  梁敬庭 ,  周名齐 ,  周少波 ,  陈旭东 ,  石晶晶

IPC: H01P3/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列。通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。

公开(公告)号：CN111900522A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010519994.3

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 钱丽勋 ,  王文军 ,  李宏军 ,  王建志 ,  申晓芳 ,  杨志 ,  付兴中 ,  董春辉 ,  王胜福 ,  李丰 ,  梁敬庭 ,  周名齐 ,  周少波 ,  陈旭东 ,  石晶晶

IPC: H01P3/00 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列。通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。