半导体装置
    11.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203746827U

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201420122157.7

    申请日:2014-03-18

    Inventor: 中岛清文

    CPC classification number: H01L2224/32225 H01L2924/13055 H01L2924/00

    Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置具有,绝缘层、相距规定间隔地设置在绝缘层上的多个配线层、设置在配线层上的半导体元件、以及覆盖绝缘层、配线层、及半导体元件的注模部分。并且,绝缘层被构成为,位于多个配线层之间的间隔处的部分比配置有配线层的部分厚度更厚。采用本实用新型的结构,能够防止配线层之间的注模部分从绝缘层上剥离。

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