公开(公告)号：CN110858611A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910775969.9

申请日：2019-08-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供半导体装置。半导体装置具备半导体基板、设置于半导体基板上的绝缘膜、设置于绝缘膜上的电力用的主电极、以及设置于绝缘膜上的信号用的垫。在设置有主电极的单元区域和设置有垫的垫区域的各个中，在绝缘膜形成有接触孔。位于垫区域的接触孔的高度位置高于位于单元区域的接触孔的高度位置，位于垫区域的接触孔的宽度大于位于单元区域的接触孔的宽度。

公开(公告)号：CN105074931A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380075334.9

申请日：2013-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大河原淳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095

Abstract: 一种IGBT，在对半导体基板进行俯视观察时沟槽栅电极弯曲，并且在位于沟槽栅电极的弯曲部的内侧且面对半导体基板的表面的位置处，形成有与发射区为同一导电型的内侧半导体区域。由于沟槽栅电极弯曲，因此导通时的空穴密度上升从而电导率调制现象活化，由此通态电压降低。在关断时，内侧半导体区域影响空穴的移动路径，空穴在体区中移动的距离被缩短。从而在关断时空穴易于逃向体接触区。从而同时达成导通时的电流密度的提高与闩锁现象的防止。