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公开(公告)号：CN105684153B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480058417.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/08 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66348 , H01L29/8611 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。
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公开(公告)号：CN105684153A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058417.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/08 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66348 , H01L29/8611 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置(10)包括：半导体基板(12)、上部电极(14)、下部电极(16)和栅电极(42)。在半导体基板中，形成体区(22)、柱区(24)和势垒区(26)。柱区具有n型杂质，形成在体区的横向侧上，并且沿着从半导体基板的顶表面到体区的下端的深度延伸。势垒区具有n型杂质，并形成在体区和柱区的下侧上。势垒区形成在柱区的下侧上。在柱区和势垒区中沿深度方向的n型杂质浓度分布具有在柱区中的极大值。n型杂质浓度分布在比极大值深的侧上具有折点。
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公开(公告)号：CN104900690A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510093283.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC-IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。
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公开(公告)号：CN104900690B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510093283.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在采用了具有肖特基接触的二极管结构的RC‑IGBT中，对栅极干扰进行抑制。所述半导体装置具有半导体基板(12)，该半导体基板(12)具有二极管区域(92)和IGBT区域(90)。该半导体装置中，二极管区域(92)具有：p型的阳极区(34)，其与阳极电极(14)欧姆接触；n型的多个柱区(24)，其与阳极电极(14)肖特基接触；n型的势垒区(26)；n型的二极管漂移区(28)；以及n型的阴极区(36)。第一柱区(24a)相对于阳极电极(14)的导通电阻与位于距IGBT区域(90)较近的位置处的第二柱区(24b)相对于阳极电极(14)的导通电阻相比较高。
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公开(公告)号：CN105051902A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380075075.X
申请日：2013-03-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大河原淳
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/36 , H01L29/402 , H01L29/7395 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7827 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在从半导体基板的外周侧面向表面过渡的部位处设置沟道限制区域并对半导体装置的耐压进行确保的结构中，于杂质浓度不同的多个区域中形成沟道限制区域。此时，满足如下关系，即，越接近于半导体基板的外周侧面则杂质浓度越高，且杂质高浓度区域的深度为杂质低浓度区域的深度以上。沟道限制区域的周边处的电场集中被缓和，且半导体装置的耐压强度上升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110034113A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811640218.8
申请日：2018-12-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/07
Abstract: 半导体装置包括半导体衬底，该半导体衬底设置有多个二极管范围和多个IGBT范围。在沿着半导体衬底的厚度方向的半导体衬底的平面图中，IGBT范围和二极管范围沿着第一方向交替排列。每一二极管范围在与下电极接触的范围内设置有多个n型的阴极区和多个p型的限流区。在每一二极范围内，阴极区和限流区沿着与第一方向相交的第二方向交替排列。每一IGBT范围在与下电极接触的范围内设置有p型的集电极区。每一IGBT范围内的集电极区与相邻的二极管范围内的每一阴极区接触。
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公开(公告)号：CN109599379A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811160907.9
申请日：2018-09-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大河原淳
IPC: H01L23/485 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其抑制从三重接触部向工作区域延伸的裂纹产生。该半导体装置具备：半导体基板；层间绝缘膜，其设置在半导体基板上；接触栓塞，其贯穿层间绝缘膜；第一金属层，其覆盖层间绝缘膜的表面和接触栓塞的表面；保护绝缘膜，其覆盖第一金属层的表面的一部分；以及第二金属层，其覆盖第一金属层的表面，并且与保护绝缘膜的端部接触。半导体装置具备：设置有保护绝缘膜的外周区域、工作区域、以及位于外周区域与工作区域之间的中间区域。工作区域内的接触栓塞朝向保护绝缘膜的端部延伸。中间区域内的接触栓塞沿着保护绝缘膜的端部延伸。
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公开(公告)号：CN105074931B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380075334.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大河原淳
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095
Abstract: 一种IGBT，在对半导体基板进行俯视观察时沟槽栅电极弯曲，并且在位于沟槽栅电极的弯曲部的内侧且面对半导体基板的表面的位置处，形成有与发射区为同一导电型的内侧半导体区域。由于沟槽栅电极弯曲，因此导通时的空穴密度上升从而电导率调制现象活化，由此通态电压降低。在关断时，内侧半导体区域影响空穴的移动路径，空穴在体区中移动的距离被缩短。从而在关断时空穴易于逃向体接触区。从而同时达成导通时的电流密度的提高与闩锁现象的防止。
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公开(公告)号：CN106972051A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611108931.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT，具体提供一种使具有矩形沟槽的IGBT的饱和电流降低的技术。该IGBT具备：矩形沟槽，其具有第一沟槽～第四沟槽；栅电极，其被配置在矩形沟槽内。发射区具备：第一发射区，其与第一沟槽相接；第二发射区，其与第三沟槽相接。体接触区具备：第一体接触区，其与第二沟槽相接；第二体接触区，其与第四沟槽相接。表层体区在从各个连接部起至发射区的范围内与沟槽相接。
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公开(公告)号：CN105793990A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480066442.4
申请日：2014-10-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/083 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/8611
Abstract: 本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n+型的第一缓冲区与n+型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。
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