公开(公告)号：CN103582936A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201180071452.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  山葺伦央

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/221 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够以较高的定位精度在预定范围内形成寿命控制区。在半导体装置（1）中，在同一半导体基板上并存有IGBT元件区（J1）和二极管元件区（J2）。IGBT元件区（J1）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的体层（30）。二极管元件区（J2）具备第二导电型的漂移层（60）和第一导电型的阳极层（31）。二极管元件区（J2）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度，与IGBT元件区（J1）的漂移层（60）中所含有的重金属（62）的密度相比较高。