公开(公告)号：CN105401218A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510565878.4

申请日：2015-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸

IPC: C30B29/36 ,  C30B7/08

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B9/06 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/067 ,  C30B19/08 ,  C30B19/106 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供了不包含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板14与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液24接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si-C溶液24，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的总量为基准，包含3原子％以上的Al的Si-C溶液24，以及，设定Si-C溶液24的表面区域的温度梯度y(℃/cm)，使得满足式(1)：y≥0.15789x+21.52632(1)(式中，x表示上述Si-C溶液中的Al含量(原子％))。

公开(公告)号：CN106337205A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610367969.1

申请日：2016-05-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。本发明提供具有低于以往的电阻率的p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si-C溶液，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的合计量为基准包含3at％以上的Al的Si-C溶液，和使SiC晶种基板的(0001)面与Si-C溶液接触，使SiC单晶从(0001)面生长。

公开(公告)号：CN104350186B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380029937.5

申请日：2013-04-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸 ,  旦野克典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B9/00 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供包含贯穿位错密度小且具有低电阻率的SiC单晶的锭、SiC单晶、以及该SiC单晶的制造方法。一种SiC单晶锭，包含籽晶和以所述籽晶为基点采用熔液法生长出的生长晶体，生长晶体包含向以籽晶为基点而生长了的方向氮含量增加的氮密度梯度层。

公开(公告)号：CN104350186A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380029937.5

申请日：2013-04-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 白井嵩幸 ,  旦野克典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/062 ,  C30B9/00 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08 ,  C30B19/10 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供包含贯穿位错密度小且具有低电阻率的SiC单晶的锭、SiC单晶、以及该SiC单晶的制造方法。一种SiC单晶锭，包含籽晶和以所述籽晶为基点采用熔液法生长出的生长晶体，生长晶体包含向以籽晶为基点而生长了的方向氮含量增加的氮密度梯度层。