-
公开(公告)号：CN107366013A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710259323.6
申请日：2017-04-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，Si-C溶液包含Si、Cr、Al和B，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准，Al以10at％以上的量包含在Si-C溶液中，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准计，B以超过0.00at％、1.00at％以下的量包含在Si-C溶液中。
-
公开(公告)号：CN104870698A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067728.X
申请日：2013-04-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
CPC classification number: C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括：将氮化物添加至用于形成Si-C溶液的原料或者Si-C溶液。
-
公开(公告)号：CN105401218B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510565878.4
申请日：2015-09-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L29/04 , H01L29/1608
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供了不包含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板14与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液24接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si‑C溶液24，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的总量为基准，包含3原子％以上的Al的Si‑C溶液24，以及，设定Si‑C溶液24的表面区域的温度梯度y(℃/cm)，使得满足式(1)：y≥0.15789x+21.52632(1)(式中，x表示上述Si‑C溶液中的Al含量(原子％))。
-
公开(公告)号：CN105492667B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480047230.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B29/66
Abstract: 提供具有低电阻率且贯穿位错密度小的n型SiC单晶。该n型SiC单晶为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中锗与氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系。
-
公开(公告)号：CN114614057B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111338105.4
申请日：2021-11-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
IPC: H01M8/1004 , H01M4/86 , H01M8/04082
Abstract: 本发明提供提供一种可以用简易的结构来抑制因铁系异物导致的电解质膜的劣化的燃料电池和燃料电池系统。一种燃料电池，其具备MEGA和硝酸盐化合物；MEGA具有电解质膜、配置在电解质膜的一个表面上的阳极催化剂层、配置在电解质膜的另一个表面上的阴极催化剂层、配置在阳极催化剂层的与电解质膜侧的表面为相反侧的表面上的阳极气体扩散层、以及配置在阴极催化剂层的与电解质膜侧的表面为相反侧的表面上的阴极气体扩散层；硝酸盐化合物配置在MEGA内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106337205B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610367969.1
申请日：2016-05-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。本发明提供具有低于以往的电阻率的p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：作为Si‑C溶液，使用包含Si、Cr和Al，且以Si、Cr和Al的合计量为基准包含3at％以上的Al的Si‑C溶液，和使SiC晶种基板的(0001)面与Si‑C溶液接触，使SiC单晶从(0001)面生长。
-
公开(公告)号：CN107366013B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710259323.6
申请日：2017-04-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，Si‑C溶液包含Si、Cr、Al和B，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准，Al以10at％以上的量包含在Si‑C溶液中，以Si、Cr、Al和B的合计量为基准计，B以超过0.00at％、1.00at％以下的量包含在Si‑C溶液中。
-
公开(公告)号：CN104870698B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380067728.X
申请日：2013-04-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
CPC classification number: C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括：将氮化物添加至用于形成Si‑C溶液的原料或者Si‑C溶液。
-
公开(公告)号：CN114614057A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111338105.4
申请日：2021-11-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
IPC: H01M8/1004 , H01M4/86 , H01M8/04082
Abstract: 本发明提供提供一种可以用简易的结构来抑制因铁系异物导致的电解质膜的劣化的燃料电池和燃料电池系统。一种燃料电池，其具备MEGA和硝酸盐化合物；MEGA具有电解质膜、配置在电解质膜的一个表面上的阳极催化剂层、配置在电解质膜的另一个表面上的阴极催化剂层、配置在阳极催化剂层的与电解质膜侧的表面为相反侧的表面上的阳极气体扩散层、以及配置在阴极催化剂层的与电解质膜侧的表面为相反侧的表面上的阴极气体扩散层；硝酸盐化合物配置在MEGA内。
-
公开(公告)号：CN105492667A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047230.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 白井嵩幸
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B29/66
Abstract: 提供具有低电阻率且贯穿位错密度小的n型SiC单晶。该n型SiC单晶为包含锗和氮的n型SiC单晶，其中锗与氮的密度比[Ge/N]满足0.17＜[Ge/N]＜1.60的关系。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.025 seconds)
