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公开(公告)号：CN107075725A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056446.9
申请日：2015-10-13
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。
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公开(公告)号：CN106167916A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610325787.8
申请日：2016-05-17
Abstract: 本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。
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公开(公告)号：CN103597129B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN103282558B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180062911.1
申请日：2011-12-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/32 , C30B19/06 , C30B29/36 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。
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公开(公告)号：CN103210127B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180054125.7
申请日：2011-11-04
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662211A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN104651938A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410671057.4
申请日：2014-11-21
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，即使在籽晶接触后改变Si-C溶液的温度，也能够抑制多晶的产生。一种SiC单晶的制造方法，其使被晶种保持轴(12)保持的SiC晶种基板(14)与具有温度从内部向表面降低的温度梯度的Si-C溶液(24)接触，使SiC单晶成长，其具备：(A)使Si-C溶液(24)为第一温度的工序；(B)使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触的工序；(C)在使晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触后，使Si-C溶液(24)为第二温度的工序；以及(D)根据从第一温度至第二温度时的Si-C溶液(24)的液面高度的变化，使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)在上下方向上移动的工序。
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公开(公告)号：CN104487619A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380035149.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/32 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置（10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。
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公开(公告)号：CN103620094A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027428.4
申请日：2012-06-15
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。
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公开(公告)号：CN106029959B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201580008068.7
申请日：2015-02-12
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/06 , C30B9/12 , C30B19/062 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。
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