-
公开(公告)号:CN118425268A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410668047.9
申请日:2024-05-28
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法,属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极,解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题,同时涂层可获得高含量二氧化铂成分,不仅简单易操作,而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点,可满足在核工业领域恶劣环境中工作,对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒,加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。