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公开(公告)号:CN118516627A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410555866.2
申请日:2024-05-07
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用,属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括:S1:均匀化退火;S2:多向锻造;S3:一次C‑scan检测;S4:固溶处理;S5:纵横交替冷轧;S6:二次C‑scan检测;S7:再结晶退火;S8:粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧,明确锻造及轧制的方向性,通过各方向轮换反复塑性变形,使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀,晶粒细化效果更佳;通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态;再通过C‑scan检测,对坯料进行更加全面的检测判定,从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内,提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号:CN118425268A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410668047.9
申请日:2024-05-28
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法,属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极,解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题,同时涂层可获得高含量二氧化铂成分,不仅简单易操作,而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点,可满足在核工业领域恶劣环境中工作,对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒,加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。
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公开(公告)号:CN118543948A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410685178.8
申请日:2024-05-30
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法,属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理,然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能,提升靶材的成品率。同时,在扩散焊接时,焊接温度比现有技术的温度大大降低,从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。
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