公开(公告)号：CN116667141A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310039775.9

申请日：2023-01-13

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 宫本晋太郎 ,  北村政治

IPC: H01S5/10

Abstract: 提供抑制了FFP中干涉条纹的产生的半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件(100)在从与半导体基板(110)正交的方向俯视观察激光谐振器(140)时具有出射区域(A1)。在正面观察激光谐振器(140)的出射端面(S1)时，关于激光的光束轮廓，强度为峰值的1/e2的假想线(2)落入出射区域(A1)中的上部覆盖层(126)内。

公开(公告)号：CN107407479B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680015707.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治

IPC: F21V29/502 ,  F21S2/00 ,  F21V7/22 ,  F21V9/00 ,  G02B5/08 ,  F21Y115/30

Abstract: 本发明的目的是提供不会产生反射层从荧光板剥离这样的不良情况下可长时间防止反射率的下降而得到高的发光效率的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备：由通过激发光发出荧光的荧光体和金属氧化物形成且表面被制成激发光入射面的荧光板；配置在该荧光板的背面侧的反射层；和放热基板，其中，将上述反射层的背面以及覆盖周侧面的密封层介由粘接层与上述荧光板的背面的周缘密合地设置。

公开(公告)号：CN107429906A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680015706.2

申请日：2016-02-23

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治

IPC: F21V29/502 ,  F21V7/00 ,  F21V7/22 ,  F21V29/505 ,  F21V29/89 ,  F21Y115/30

Abstract: 本发明的目的是提供具有长时间不会产生反射率的下降的高可靠性的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备：通过激发光发出荧光且表面被制成激发光入射面的荧光板；配置在该荧光板的背面侧的反射层；和放热基板，其中，将上述反射层的背面以及覆盖周侧面的密封层介由粘接层与上述荧光板的背面的周缘密合地设置，在上述放热基板上，介由接合部件层设置有通过镀镍而形成的扩散防止层。

公开(公告)号：CN107407479A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680015707.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治

IPC: F21V29/502 ,  F21S2/00 ,  F21V7/22 ,  F21V9/16 ,  G02B5/08 ,  F21Y115/30

CPC classification number: F21K9/64 ,  C09K11/00 ,  F21V7/22 ,  F21V9/30 ,  F21V29/502 ,  F21V29/70 ,  F21Y2115/30 ,  G02B1/118 ,  G02B5/08

Abstract: 本发明的目的是提供不会产生反射层从荧光板剥离这样的不良情况下可长时间防止反射率的下降而得到高的发光效率的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备：由通过激发光发出荧光的荧光体和金属氧化物形成且表面被制成激发光入射面的荧光板；配置在该荧光板的背面侧的反射层；和放热基板，其中，将上述反射层的背面以及覆盖周侧面的密封层介由粘接层与上述荧光板的背面的周缘密合地设置。

公开(公告)号：CN104969370A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007347.7

申请日：2014-02-03

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治 ,  芜木清幸

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  F21S2/00 ,  H01S5/02 ,  F21Y101/02 ,  G03B21/14

CPC classification number: F21K9/64 ,  F21V5/005 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  G02B5/0231 ,  G03B21/204 ,  H01L33/505 ,  H01S5/022

Abstract: 本发明的目的在于提供在向波长转换构件照射激发光时、在抑制该激发光的后方散射的同时、可以有效地利用在波长转换构件的内部产生的荧光、以高效率出射至外部、从而可获得高的发光效率的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备由被激发光激发的荧光体得到的波长转换构件，在所述波长转换构件的激发光受光面上形成有由大致锥状的凸部周期性地排列而成的周期结构，作为该周期结构中凸部的高度与周期之比的长宽比为0.2以上，该周期是从所述荧光体放射的荧光的衍射发生的范围的大小。

公开(公告)号：CN104968995A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007875.2

申请日：2014-02-05

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治 ,  芜木清幸 ,  杉谷晃彦

IPC: F21S2/00 ,  F21V9/16 ,  G03B21/14 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21V13/08 ,  C09K11/7774 ,  F21S41/16 ,  F21V9/30 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2115/30 ,  G03B21/204 ,  F21K2/00 ,  F21V7/22

Abstract: 本发明提供一种荧光光源装置：当对波长转换构件照射激发光时，抑制了该激发光的反向散射，同时能够以高的效率将在波长转换构件内部产生的荧光出射至外部，因而可获得高的发光效率。该荧光光源装置是具备由被激发光激发的荧光体构成的波长转换构件而成的荧光光源装置，其特征在于，所述波长转换构件在成为激发光受光面的表面上形成表面侧周期结构、在背面形成背面侧周期结构、在该背面的外侧设有光反射面。

公开(公告)号：CN115483610A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210511876.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 北村政治 ,  宫本晋太郎

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法，在实现半导体发光元件的高输出化的同时抑制出射端面处的发热。根据一方式的半导体发光元件，具备：第一导电型半导体层；活性层，其位于所述第一导电型半导体层上，并具有相互平行的端面；第二导电型半导体层，其位于所述活性层上；接触层，其位于所述第二导电型半导体层上，并能够与电极欧姆接合；中间层，其位于所述第二导电型半导体层与所述接触层之间，且杂质浓度比所述第二导电型半导体层高；以及电阻层，其设于所述端面的至少一个端面附近的所述第二导电型半导体层上，且电阻比所述中间层高。

公开(公告)号：CN110168279B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201880005992.3

申请日：2018-01-10

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 北村政治 ,  井上正树

IPC: F21V7/24 ,  G02B5/20 ,  F21Y115/30 ,  F21V7/26 ,  F21V7/28 ,  F21V7/30 ,  G02B5/08

Abstract: 提供能够长时间维持较高的荧光强度的发光元件以及荧光光源装置。本发明的发光元件具有：基板；反射层，形成于基板的上层，由包含Ag或者Al的材料构成；扩散防止层，与反射层的和所述基板相反的一侧的面接触而形成，由至少一部分结晶化的层构成；反射增强层，与扩散防止层的和所述基板相反的一侧的面接触而形成；以及荧光体层，形成于反射增强层的上层。

公开(公告)号：CN107429906B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201680015706.2

申请日：2016-02-23

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 井上正树 ,  北村政治

IPC: F21V7/22 ,  C23C14/16 ,  F21V9/30 ,  F21K9/00 ,  F21V29/505 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  F21K9/64 ,  F21Y115/30

Abstract: 本发明的目的是提供具有长时间不会产生反射率的下降的高可靠性的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备：通过激发光发出荧光且表面被制成激发光入射面的荧光板；配置在该荧光板的背面侧的反射层；和放热基板，其中，将上述反射层的背面以及覆盖周侧面的密封层介由粘接层与上述荧光板的背面的周缘密合地设置，在上述放热基板上，介由接合部件层设置有通过镀镍而形成的扩散防止层。

公开(公告)号：CN110168279A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201880005992.3

申请日：2018-01-10

Applicant: 优志旺电机株式会社

Inventor： 北村政治 ,  井上正树

IPC: F21V7/24 ,  G02B5/20 ,  F21Y115/30 ,  F21V7/26 ,  F21V7/28 ,  F21V7/30 ,  G02B5/08

Abstract: 提供能够长时间维持较高的荧光强度的发光元件以及荧光光源装置。本发明的发光元件具有：基板；反射层，形成于基板的上层，由包含Ag或者Al的材料构成；扩散防止层，与反射层的和所述基板相反的一侧的面接触而形成，由至少一部分结晶化的层构成；反射增强层，与扩散防止层的和所述基板相反的一侧的面接触而形成；以及荧光体层，形成于反射增强层的上层。