公开(公告)号：CN103717530A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037943.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均 ,  佐藤武

IPC: C01B31/06

CPC classification number: C04B35/52 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  C01B32/25 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/427 ,  Y10T428/2982

Abstract: 纳米多晶金刚石(1)包含碳、以原子水平遍及分散在碳中的方式添加的非碳外来元素(3)、以及不可避免的杂质。所述多晶金刚石的晶粒尺寸为500nm以下，并且可以通过在高压压制装置中对石墨进行热处理来制造，其中所述石墨中添加了非碳外来元素从而以原子水平遍及分散在碳中。

公开(公告)号：CN110023238A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780073841.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C01B32/25 ,  B01J3/06 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C01B32/205 ,  C04B35/528 ,  C04B41/87 ,  C23C16/26 ,  C25B11/12 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石，该多晶金刚石由多个晶粒构成，并且包含氮和硅中的至少任一者、硼、以及碳和微量杂质的余量；所述硼以原子水平分散在晶粒中，并且全部的硼的90原子％以上以孤立置换型存在；所述氮和硅以孤立置换型或间隙型存在于晶粒中；晶粒的粒度为500nm以下；并且多晶金刚石的表面被保护膜覆盖。

公开(公告)号：CN103717530B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201280037943.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均 ,  佐藤武

IPC: C01B32/25 ,  C01B32/26

CPC classification number: C04B35/52 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655 ,  C01B32/25 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/427 ,  Y10T428/2982

Abstract: 纳米多晶金刚石(1)包含碳、以原子水平遍及分散在碳中的方式添加的非碳外来元素(3)、以及不可避免的杂质。所述多晶金刚石的晶粒尺寸为500nm以下，并且可以通过在高压压制装置中对石墨进行热处理来制造，其中所述石墨中添加了非碳外来元素从而以原子水平遍及分散在碳中。

公开(公告)号：CN103764882B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201280042553.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  B01J3/06

CPC classification number: C30B29/04 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/068 ,  C30B7/10 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。

公开(公告)号：CN103764882A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042553.2

申请日：2012-08-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  C01B31/06

CPC classification number: C30B29/04 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/068 ,  C30B7/10 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。

公开(公告)号：CN103732535A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280037414.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 池田和宽 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC: C01B31/06

CPC classification number: C01B32/25 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/0655

Abstract: 本发明涉及一种纳米多晶金刚石(1)，其包括碳和多种非碳杂质。每一种所述杂质的浓度均等于或小于0.01质量%，并且该纳米多晶金刚石(1)的晶粒尺寸（最大长度）至多为500nm。该纳米多晶金刚石(1)可以由以下方法制造：制备杂质浓度至多为0.01质量%的石墨，然后使该石墨经受高温和极高的压力，从而将所述石墨转化为金刚石。