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公开(公告)号：CN110970447B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910902187.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 岩田旬史
IPC: H01L27/14
Abstract: 本申请涉及光检测设备和光检测系统。提供了光检测设备和包括光检测设备的光电转换系统，光检测设备包括雪崩二极管，雪崩二极管包括设置在第一深度处的具有第一导电类型的第一半导体区域、设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处的具有第二导电类型的第二半导体区域、设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触的第三半导体区域以及各自从第一深度延伸到第三深度的第一分离区域和第二分离区域。第二半导体区域和第三半导体区域各自从第一分离区域延伸到第二分离区域。第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分。
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公开(公告)号：CN114429961A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111265262.7
申请日：2021-10-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。该光电转换设备包括：具有第一半导体器件层的第一基板，该第一半导体器件层包括多个光电转换单元和阱；以及具有第二半导体器件层的第二基板，该第二半导体器件层包括被配置为对多个光电转换单元所获得的信号进行处理的电路，其中，第一基板和第二基板层压在一起，其中，第一半导体器件层包括有效像素区域、光学黑像素区域和外周区域，其中，在平面图中，由遮光层形成的遮光区域与光学黑像素区域重叠，并且该遮光区域不与外周区域重叠，其中，外周区域具有电荷排出区域，该电荷排出区域包括与信号电荷相同的导电类型的半导体区域，以及其中，向电荷排出区域供给固定电位。
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公开(公告)号：CN102637712B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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公开(公告)号：CN104241305A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410263602.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14806 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备，其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法，可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。
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公开(公告)号：CN102088026B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010570146.1
申请日：2010-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取设备的制造方法，包括：根据离子注入方法从半导体基板的第一表面在半导体基板中形成第一导电类型的第一半导体区的步骤；在第一半导体区和半导体基板的第一表面之间形成多个光电转换区的步骤；通过从半导体基板的第二表面对半导体基板进行抛光的第一移除步骤；在第一移除步骤之后，通过以比第一移除步骤的速度低的速度从半导体基板的第二表面减小半导体基板的厚度的第二移除步骤，其中，直到第一半导体区露出之前，继续第二移除步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102088026A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010570146.1
申请日：2010-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取设备的制造方法，包括：根据离子注入方法从半导体基板的第一表面在半导体基板中形成第一导电类型的第一半导体区的步骤；在第一半导体区和半导体基板的第一表面之间形成多个光电转换区的步骤；通过从半导体基板的第二表面对半导体基板进行抛光的第一移除步骤；在第一移除步骤之后，通过以比第一移除步骤的速度低的速度从半导体基板的第二表面减小半导体基板的厚度的第二移除步骤，其中，直到第一半导体区露出之前，继续第二移除步骤。
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公开(公告)号：CN109390363B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN107665897A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628241.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L31/022408 , G01J1/44 , H01G9/2027 , H01L27/14812 , H01L31/062 , H01L31/18 , H01L27/1443
Abstract: 提供了光检测设备和光检测系统。半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。光电转换部分具有配置有不同导电类型的第一半导体区域和第二半导体区域的PN结。埋入部分被埋入半导体基板中并且包含电极和被定位在电极与半导体基板之间且与第二半导体区域接触的电介质构件。第二半导体区域被定位在比第一半导体区域深的位置中。埋入部分被定位为从第一表面延伸到比第一半导体区域深的位置。以在电极与第二半导体区域之间出现的反型层和第一半导体区域彼此接触的方式，电势被供应到第一半导体区域、第二半导体区域和电极。
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公开(公告)号：CN103681716B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310437395.7
申请日：2013-09-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置、图像拾取装置的驱动方法和图像拾取系统。图像拾取装置包括多个像素。各像素包含光电转换单元、放大晶体管和复位晶体管。各像素根据通过复位晶体管供给到放大晶体管的输入节点的电压被设为选择状态或非选择状态。控制单元通过向复位晶体管的控制节点供给电压将复位晶体管控制为导通或截止。更具体而言，第一电压被供给到选择状态的像素中的复位晶体管的控制节点以将其控制为处于为截止状态，并且，第二电压被供给到非选择状态的像素中的复位晶体管的控制节点以将其控制为处于截止状态。
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公开(公告)号：CN102652359B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080056463.X
申请日：2010-12-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14605 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14685
Abstract: 提供了具有改善的颜色分离特性的背面照射型固态图像拾取设备。光检测器包括第一光检测器单元和布置为相对于半导体衬底的背面比第一光检测器单元更深的第二光检测器单元，其中第一光检测器单元包括第一导电类型的第一半导体区，在所述第一半导体区中通过光电转换产生的载流子作为信号载流子被收集。读出部包括第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区在深度方向上延伸使得在第一半导体区处收集的载流子被读出到半导体衬底的正面。设置了降低入射在第二半导体区上的光的量的单元。
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