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公开(公告)号：CN119677193A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411278970.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。光电转换设备包括半导体层，该半导体层包括像素阵列区域、周边区域、划片区域以及将周边区域和划片区域隔离的隔离部。各个像素包括具有第一导电性类型的第一半导体区域和第二导电性类型的第二半导体区域的雪崩光电二极管。周边区域包括第一导电性类型的第一区域和第二导电性类型的第二区域。第二区域和第二半导体区域被供给有相同的电压。划片区域包括第一导电性类型的第三区域。布线结构包括将第一区域和第三区域的第一导电路径连接以及被供给有第一半导体区域的电压和第二半导体区域的电压之间的电压的电压供给线。第一区域和电压供给线通过第二导电路径连接。
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公开(公告)号：CN119450249A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411003032.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/70
Abstract: 本发明提供了光电转换装置及其驱动方法、信号输出装置、光检测系统和可移动体。该光电转换装置包括：像素电路，其被布置为形成多行和多列；以及控制电路，用于驱动所述像素电路。像素电路各自包括：包括光电转换部的信号生成电路；存储器，用于保持从所述信号生成电路输出的信号；以及时序电路，其包括来自所述存储器的信号被输入至的第一输入节点、来自所述控制电路的控制信号被输入至的第二输入节点、第三输入节点和输出节点。像素电路包括布置在相同行或相同列中的第一像素电路和第二像素电路，并且所述第一像素电路的时序电路的输出节点连接到所述第二像素电路的时序电路的第三输入节点。
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公开(公告)号：CN114649430B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210256626.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F77/14 , H10F39/18 , H10F30/225
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN115039228A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180011802.0
申请日：2021-01-20
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 森本和浩
IPC: H01L27/146 , H01L31/107 , H01L31/10 , H04N5/335 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 提供了包括第一导电类型的第一半导体区域的第一雪崩二极管以及包括第一导电类型的第二半导体区域的第二雪崩二极管。第一隔离部分布置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一隔离部分由第一导电类型的第三半导体区域、或第二导电类型的第四半导体区域和被布置为在俯视图中夹着第四半导体区域的第三半导体区域构成。第四半导体区域满足表达式1，其中Nd为第三半导体区域的杂质浓度、Na为第四半导体区域的杂质浓度、q为元电荷、ε为半导体的介电常数、V为第三半导体区域与第四半导体区域的P‑N结之间的电位差，并且D为由第四半导体区域夹着的第三半导体区域的长度，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649431A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256628.2
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN114649430A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210256626.3
申请日：2017-10-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
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公开(公告)号：CN119767168A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411352417.4
申请日：2024-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/79 , H04N25/705 , H04N25/709 , H04N25/773 , H04N25/766 , H04N25/76 , H10F39/18
Abstract: 本发明公开了一种光电转换设备、光电转换系统、移动体和装备。光电转换设备包括：像素，其具有雪崩光电二极管、像素电路和信号处理电路；以及控制信号生成电路，其用于生成控制所述像素电路的操作的第一控制信号和控制所述信号处理电路的操作的第二控制信号。布置所述信号处理电路和所述控制信号生成电路的第二电路层、布置所述像素电路的第一电路层、以及布置所述雪崩光电二极管的光电二极管层按此顺序层叠在一起，所述雪崩光电二极管的输出端子连接到所述像素电路，控制信号生成电路被布置于在像素区域周围的周边区域中，以及第一布线设置在所述第一电路层上，所述第一布线连接到所述控制信号生成电路。
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公开(公告)号：CN116711320A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202280009282.4
申请日：2022-01-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/70
Abstract: 本光电转换装置包括：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括阳极和阴极；开关，所述开关连接到阳极和阴极中的一个节点、以及将被施加驱动电压的电力线，并且用于在所述一个节点和电力线之间切换电阻值；以及信号产生单元，所述信号产生单元产生用于控制开关的切换的脉冲信号。通过将第一曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第一曝光时间段而获得的值与通过将第二曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第二曝光时间段而获得的值是不同的，第二曝光时间段的长度不同于第一曝光时间段的长度。
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