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公开(公告)号：CN109244092B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201810757489.5
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN105185801B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201510540844.X
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN109728016A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811253732.6
申请日：2018-10-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 远藤信之
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L31/02327 , H01L31/035272 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电转换器件、其制造方法和装置。一种光电转换器件包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于光电转换部分与氧化硅膜之间的绝缘膜。构成光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中。绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼。从半导体基板的表面到第二杂质区域中的硼浓度取最小值的第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。
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公开(公告)号：CN108122939A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711219865.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/42364 , H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14683
Abstract: 公开了半导体设备和用于制造半导体设备的方法。半导体设备具有：具有光电转换部分的硅层；设置在硅层上的传输部分的传输电极；传输部分传输光电转换部分的电荷；以及绝缘体膜，具有位于传输电极和硅层之间的第一部分以及位于光电转换部分上的第二部分，绝缘体膜的第一部分和第二部分包含氮、氧和硅，并且第二部分中氮浓度显示出最大值的位置和硅层之间的距离大于第一部分中氮浓度显示出最大值的位置与硅层之间的距离。
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公开(公告)号：CN103140926B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180046198.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14607 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H04N5/3559 , H04N5/372 , H04N5/37452 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 在固态成像装置中，在像素构成要素中，光电转换单元、传送晶体管和电荷保持单元的至少一部分被设置在第一半导体基板上。被配置为处理传送到电荷保持单元的信号电荷或由放大单元放大的信号的像素附加电路被设置在第二半导体基板上。并且其中，在第一基板上设置第一遮光部件，所述第一遮光部件被配置为减少透过光电转换单元而入射到像素附加电路的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714212A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080058034.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/1465
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。
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公开(公告)号：CN109244092A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810757489.5
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14685 , H04N5/369
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN105023930B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510301075.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN105185801A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510540844.X
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN105023930A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510301075.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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