-
公开(公告)号：CN109390363A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H04N5/378 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
-
公开(公告)号：CN106684106A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610976493.1
申请日：2016-11-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： D·泰克莱布
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/28035 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L29/4916 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L27/146 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供了一种包括多个像素的图像传感器和形成像素的方法，所述图像传感器可包括多个像素，每个像素包括光电二极管。所述像素可包括用于近红外应用的深光电二极管。可通过在衬底中形成的沟槽中生长掺杂外延硅来形成所述光电二极管。所述掺杂外延硅可掺杂有磷或砷。所述像素可包括通过在所述衬底中注入离子而形成的另外的n阱。通过注入硼离子而形成的隔离区可隔离所述n阱和所述掺杂外延硅。所述掺杂外延硅可在500℃和550℃之间的温度下形成。在形成所述掺杂外延硅之后，可利用激光退火来激活所述离子。还可进行化学机械平坦化，以确保所述掺杂外延硅具有平坦的表面用于后续处理。
-
公开(公告)号：CN106463566A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024560.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 科锐安先进科技有限公司
Inventor： 托马斯·贝尔-约恩斯 , 张仪 , 迈克尔·J·霍赫贝格 , 阿里·诺瓦克
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L27/14638 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14698 , H01L31/0256 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/1808 , Y02E10/547
Abstract: 说明了被构造为不掺杂锗和不用金属来接触锗的硅上锗光电探测器。尽管简化了制造工艺，但是器件的响应度为1.24A/W，对应的量子效率是99.2％。在-4V反向偏置电压的情况下，暗电流为40nA。3-dB带宽是30GHz。
-
公开(公告)号：CN106127102A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610285210.9
申请日：2016-05-03
Applicant: 曦威科技股份有限公司
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/0004 , G06K9/00053 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14678 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L27/14698 , H01L31/02164 , H01L31/167 , H04M1/026
Abstract: 本发明关于一种指纹检测装置、使用其的移动装置以及其制造方法，此指纹检测装置包括一影像感测集成电路以及一空间滤波器(Spatial Filter)。空间滤波器被配置于影像感测集成电路上，其中，空间滤波器具有多个邻接的光线通道，且其中，藉由上述光线通道，限制可进入上述影像感测集成电路的光线的角度，避免散射光线进入上述影像感测集成电路。本发明通过空间滤波器能够使指纹检测装置在被配置于保护玻璃下方一段距离或与保护玻璃之间有空气间隙时，仍可以正常地针对指纹进行图样撷取的动作且不受散射光线的影响。
-
公开(公告)号：CN103400844B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310245920.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 智慧投资II有限责任公司
Inventor： 雅罗斯拉夫.海尼塞克 , 伦纳德.福布斯 , 霍马尤恩.哈达德 , 托马斯.乔伊
IPC: H01L27/146 , H01L23/48 , H01L23/544
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102790059B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210008175.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/40
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L31/02327 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0391 , H01L2224/04042 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102263118B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110205267.0
申请日：2009-10-21
Applicant: 智慧投资II有限责任公司
Inventor： 雅罗斯拉夫.海尼塞克 , 伦纳德.福布斯 , 霍马尤恩.哈达德 , 托马斯.乔伊
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。
-
公开(公告)号：CN104637967A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510079349.3
申请日：2015-02-13
Applicant: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L27/146 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14698 , H01L2224/11 , H01L2924/16235
Abstract: 一种封装方法及封装结构，所述封装方法包括：提供第一基板和第二基板，所述第二基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，将所述第一基板的一侧表面和第二基板的第一表面通过粘胶层粘接；在第二基板的第二表面形成凹槽结构；提供基底，所述基底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基底的第一表面具有感应区以及位于感应区周围的若干焊垫；将所述第二基板的第二表面与基底的第一表面压合，所述凹槽结构与基底之间构成空腔，使所述感应区位于所述空腔内。所述封装方法形成具有双层结构的上盖基板，便于后续去除第一基板，降低形成的封装结构的厚度，且保留第二基板对基底上的感应区进行保护。
-
公开(公告)号：CN103608906A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029028.7
申请日：2012-06-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L22/10 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380cm-1以上、1520cm-1以下的范围分割为红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围与红外线的波数超过1450cm-1且1520cm-1以下的范围时，位于红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm-1以上、1750cm-1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。
-
公开(公告)号：CN103219348A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310019208.3
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 广田克范
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14612 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L29/518 , H01L31/1864
Abstract: 本公开内容涉及光电转换装置、图像拾取系统和光电转换装置的制造方法。光电转换区段包含具有叠层结构的半导体元件，叠层结构包含导电体、半导体和设置在导电体与半导体之间的绝缘体，其中，绝缘体是在位于导电体与半导体之间的主部分中包含氮的硅氧化物膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.024 seconds)
