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公开(公告)号：CN107004548A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064198.2
申请日：2015-11-19
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y40/00 , C01G9/00 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , C01P2004/61 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J63/04 , H01L29/0673 , H01L29/0676
Abstract: 本发明提供了一种用于制造多个纳米结构的方法，包括以下步骤：提供多个球形Zn结构并在350℃至600℃的温度范围内的环境气氛中氧化球形结构持续1 h至172 h，以形成从球形结构突出的ZnO纳米线。本发明还提供了一种场发射装置，所述场发射装置包括阴极，所述阴极具有前述提及的布置于其上的ZnO纳米线结构。
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公开(公告)号：CN106794470A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046346.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Inventor： 乔纳斯·迪伦
IPC: B03C3/08 , B03C3/12 , B03C3/38 , B03C3/47 , C02F1/30 , H01J35/06 , H01J35/16 , B01D53/32 , C02F1/00 , C02F103/00
CPC classification number: H01J35/065 , A61L9/16 , A61L2209/11 , B01D53/32 , B01D2257/91 , B01D2258/06 , B01D2259/81 , B03C3/08 , B03C3/09 , B03C3/12 , B03C3/155 , B03C3/383 , B03C3/47 , C02F1/001 , C02F1/307 , C02F2103/008 , C02F2209/003 , C02F2209/005 , C02F2209/36 , C02F2303/04 , H01J35/08 , H01J35/16 , H01J2235/068 , H05G1/32
Abstract: 本发明一般涉及一种X射线源，特别地涉及一种适用于大面积X射线产生情形下的X射线源。本发明还涉及一种包括此X射线源的系统。
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公开(公告)号：CN107848841B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680037318.4
申请日：2016-06-20
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Inventor： 乔纳斯·迪伦
Abstract: 本发明总体上涉及一种用于处理流体的系统，并且具体地涉及一种处理系统（200），配置为选择性地激活第一（206）和第二紫外线光源（104）。本发明的目的是减少用紫外线光处理流体的系统的有效能量消耗。本发明特别涉及克服汞灯光源不能立即启动的缺点。仅第二紫外线光源（104）是UV汞基的光源，并且电源配置为基于预定条件来选择性地关闭第一紫外线光源（206），预定条件基于第二光源的预热时间段。
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公开(公告)号：CN111524786A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010101040.0
申请日：2015-12-14
Applicant: 光学实验室公司(瑞典) , 南洋理工大学
Inventor： 乔纳斯·迪伦 , 希尔米沃尔坎·德米尔
Abstract: 本发明涉及一种场发射光源，特别地，涉及一种小型场发射光源，其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造，即是，与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。
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公开(公告)号：CN110024078A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073204.X
申请日：2017-11-28
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Inventor： 乔纳斯·迪伦
Abstract: 本发明一般涉及一种场发射光源，具体地涉及一种适用于发射紫外（UV）光的场发射光源。该光源具有紫外发射构件，该构件设有可电子激发的紫外发射材料。该材料为LuPO3:Pr3+、Lu2Si2O7:Pr3+、LaPO4:Pr3+、YBO3:Pr3+和YPO4:Bi3+中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109476514A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780037792.1
申请日：2017-06-20
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Inventor： 乔纳斯·迪伦
Abstract: 本发明一般涉及用于处理流体的系统，并且具体地涉及配置用于改善细菌减少的处理系统，其中该系统包括基于场发射的UV光源，其适于在紫外线C（UVC）光谱内发光，其波长范围与汞基UV光源所发射的光相比具有更高的上限范围。
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公开(公告)号：CN110326080B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880012761.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 光学实验室公司(瑞典) , 南洋理工大学
Inventor： 乔纳斯·迪伦 , 希尔米沃尔坎·德米尔 , 伊杰库马尔·夏尔马 , 斯威蒂姆·谭
Abstract: 本发明总体涉及一种操作多个场发射光源的方法，具体地说是用于对以基于芯片的方式制造的多个场发射光源执行的检测程序。本发明还涉及一种相应的检测系统。
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公开(公告)号：CN113145306A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110265118.7
申请日：2015-08-31
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Inventor： 乔纳斯·迪伦
IPC: B03C3/08 , B03C3/12 , B03C3/38 , B03C3/47 , C02F1/30 , H01J35/06 , H01J35/16 , B01D53/32 , C02F1/00 , C02F103/00
Abstract: 本发明一般涉及一种X射线源，特别地涉及一种适用于大面积X射线产生情形下的X射线源。本发明还涉及一种包括此X射线源的系统。
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公开(公告)号：CN107636790B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680028785.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 光学实验室公司(瑞典)
Abstract: 本发明涉及场发射照明领域，具体涉及一种场发射阴极的形成方法。所述方法包括：将生长基底置于包含Zn基生长剂的生长溶液中，所述生长溶液在室温下具有预定义的pH值；升高生长溶液的pH值以达到成核阶段；当升高溶液的pH时就开始成核。然后通过降低pH值进入生长阶段。纳米棒的长度由生长时间决定。通过升高pH值来终止该过程以形成尖锐的尖端。本发明还涉及用于这种场发射阴极的结构以及包括该场发射阴极的照明装置。
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公开(公告)号：CN108139504B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680053426.0
申请日：2016-09-19
Applicant: 光学实验室公司(瑞典) , 南洋理工大学
Inventor： 乔纳斯·迪伦 , 希尔米沃尔坎·德米尔
Abstract: 本发明总体上涉及用于紫外照明元件的提取结构。本发明还涉及包含这种在基板上的提取结构的紫外灯。所述提取结构包括用于抗反射目的的多个纳米结构。所述纳米结构生长在基板的第一侧和第二侧中的至少一侧的顶表面上。
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