公开(公告)号：CN110832616B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201880044577.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 光学实验室公司(瑞典) ,  南洋理工大学

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  帕特里克·霍尔曼 ,  希尔米沃尔坎·德米尔 ,  维杰库玛尔·萨尔玛 ,  西蒂·谭

IPC: H01J63/02 ,  H01J1/304 ,  H01J7/18 ,  H01J63/06 ,  H01L23/26 ,  B81B7/02 ,  H01J9/02 ,  H01J61/30

Abstract: 本发明总的来说涉及用于场发射装置的一种场发射阴极结构，特别适于通过在场发射阴极结构的透气部分下侧布置吸气剂元件来增强场发射装置的可靠性并延长场发射装置的寿命。本发明还涉及包括这种场发射阴极结构的场发射照明装置和场发射照明系统。

公开(公告)号：CN107636790A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680028785.0

申请日：2016-05-16

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  简奥托·卡尔松 ,  奥丽萨·尼康欧娃

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  C30B7/14 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及场发射照明领域，具体涉及一种场发射阴极的形成方法。所述方法包括：将生长基底置于包含Zn基生长剂的生长溶液中，所述生长溶液在室温下具有预定义的pH值；升高生长溶液的pH值以达到成核阶段；当升高溶液的pH时就开始成核。然后通过降低pH值进入生长阶段。纳米棒的长度由生长时间决定。通过升高pH值来终止该过程以形成尖锐的尖端。本发明还涉及用于这种场发射阴极的结构以及包括该场发射阴极的照明装置。

公开(公告)号：CN115003340A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080079581.6

申请日：2020-11-16

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦

IPC: A61L2/10

Abstract: 本发明一般涉及一种用于处理表面的系统，包括一种紫外线(UV)照明装置，其被配置为在第一和第二波长范围内向表面发射UV光，以有效减少表面上的微生物。

公开(公告)号：CN108780723B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201780017808.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  简奥托·卡尔松 ,  海伦娜·特纳兹 ,  帕特里克·霍尔曼

IPC: H01J9/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种可控生长ZnO纳米线的方法，例如用于场发射照明。特别地，本发明涉及一种控制热氧化条件的方法，以实现在结构表面上正在生长的氧化物的氧消耗速率与腔室内携氧物质的分解速率之间的稳态条件。本发明还涉及相应的场发射阴极。

公开(公告)号：CN107210185A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580073512.3

申请日：2015-12-14

Applicant: 光学实验室公司(瑞典) ,  南洋理工大学

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  希尔米沃尔坎·德米尔

IPC: H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  H01J61/30

CPC classification number: H01J63/02 ,  H01J1/3044 ,  H01J61/30 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  H01J2893/0031

Abstract: 本发明涉及一种场发射光源，特别地，涉及一种小型场发射光源，其可以使用晶圆级水平制造的概念以低成本大量制造，即是，与IC’s和MEMS所使用的方法类似。本发明还涉及一种包括至少一个场发射光源的照明装置。场发射光源包括：‑场发射阴极(106)，所述场发射阴极包括多个纳米结构(104)，所述纳米结构形成在基板上；‑导电阳极结构(108)，所述导电阳极结构包括第一波长转换材料(118)，所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分，其中，第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光，以及‑装置，所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室(106)，包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构(302，110)，其中，用于接收多个纳米结构的基板是晶片(102’)。

公开(公告)号：CN105051858A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017388.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦

IPC: H01J63/06

CPC classification number: H01J63/06 ,  H01J9/025 ,  H01J19/24

Abstract: 本发明涉及一种场发射照明装置，包括阳极和阴极，其中，阴极的形状基于真空外壳的形状来选择，真空外壳内设置阳极和阴极。当操作场发射照明装置时，本发明的阴极形状允许在阳极和阴极之间提供的电场的改良均匀性。本发明也涉及一种用于选择此种阴极形状的相应方法。

公开(公告)号：CN115172118A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210505561.1

申请日：2017-11-28

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦

IPC: H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06 ,  B82Y30/00 ,  C02F1/32 ,  C09K11/77

Abstract: 本发明一般涉及一种场发射光源，具体地涉及一种适用于发射紫外(UV)光的场发射光源。该光源具有紫外发射构件，该构件设有可电子激发的紫外发射材料。该材料为LuPO3:Pr3+、Lu2Si2O7:Pr3+、LaPO4:Pr3+、YBO3:Pr3+和YPO4:Bi3+中的至少一种。

公开(公告)号：CN110326080A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880012761.5

申请日：2018-02-08

Applicant: 光学实验室公司(瑞典) ,  南洋理工大学

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  希尔米沃尔坎·德米尔 ,  伊杰库马尔·夏尔马 ,  斯威蒂姆·谭

IPC: H01J9/42 ,  G01R31/24 ,  H01J63/04 ,  H01J63/06

Abstract: 本发明总体涉及一种操作多个场发射光源的方法，具体地说是用于对以基于芯片的方式制造的多个场发射光源执行的检测程序。本发明还涉及一种相应的检测系统。

公开(公告)号：CN108780723A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017808.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 光学实验室公司(瑞典)

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  简奥托·卡尔松 ,  海伦娜·特纳兹 ,  帕特里克·霍尔曼

IPC: H01J9/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种可控生长ZnO纳米线的方法，例如用于场发射照明。特别地，本发明涉及一种控制热氧化条件的方法，以实现在结构表面上正在生长的氧化物的氧消耗速率与腔室内携氧物质的分解速率之间的稳态条件。本发明还涉及相应的场发射阴极。

公开(公告)号：CN108139504A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680053426.0

申请日：2016-09-19

Applicant: 光学实验室公司(瑞典) ,  南洋理工大学

Inventor： 乔纳斯·迪伦 ,  希尔米沃尔坎·德米尔

IPC: G02B1/11 ,  H01J1/30 ,  H01J19/24 ,  H01J61/35 ,  H01J63/06 ,  A61L2/10 ,  A61L9/20

Abstract: 本发明总体上涉及用于紫外照明元件的提取结构。本发明还涉及包含这种在基板上的提取结构的紫外灯。所述提取结构包括用于抗反射目的的多个纳米结构。所述纳米结构生长在基板的第一侧和第二侧中的至少一侧的顶表面上。