公开(公告)号：CN110534392A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810515606.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 韦刚 ,  苏恒毅 ,  刘珂

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种射频阻抗匹配的方法、装置和半导体处理设备。方法包括：步骤S110、向匹配器发送控制信号；步骤S120、判断所述控制信号是否为步骤切换信号，并当判定为步骤切换信号时，执行步骤S130，反之，执行步骤S140；步骤S130、控制匹配器执行保持模式，所述保持模式的维持时间为预设时间t，之后执行步骤S140；步骤S140、控制匹配器开始阻抗匹配，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗匹配。可以有效避免在步骤切换工艺中由于阻抗不稳定而导致的匹配器的误调整，增加保持模式，有效提高匹配的匹配速度和效率，并且，针对不同的工艺，保持模式所维持的预设时间t可以不同，能够大大拓展工艺的应用。

公开(公告)号：CN111696863B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910199916.7

申请日：2019-03-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 刘珂 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种硅介质材料刻蚀方法，其包括：向反应腔室内通入混合气体，并使所述气体电离形成等离子体，以选择性地对衬底上的待刻蚀硅介质材料进行刻蚀；其中，气体包括刻蚀气体和调节气体，调节气体能够电离形成单原子正离子，且不与刻蚀气体反应的调节气体，调节气体能够调节待刻蚀硅介质材料与衬底上的其他硅介质材料的刻蚀选择比。本发明提供的硅介质材料刻蚀方法，其不仅可以提高不同的两种硅介质材料的刻蚀选择比，且对刻蚀后的形貌结果影响较小，从而可以应用于高精度、原子层级的刻蚀工艺中以及刻蚀真空度较高(小于0.1Torr)的高密度等离子体刻蚀设备中。

公开(公告)号：CN111243948B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202010053225.9

申请日：2020-01-17

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 刘珂 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/263

Abstract: 一种用于半导体加工的原子层刻蚀方法，包括：表面原子沉积步骤：向反应腔室中通入刻蚀气体以使所述刻蚀气体与晶圆的表面原子结合；表面修复步骤：通入修复气体以使所述修复气体吸附所述表面原子，其中，所述修复气体所包括的成分与制成所述晶圆的部分元素相同；调节用于承载所述晶圆的下电极的温度来调节所述晶圆的温度，借以移动所述表面原子使得所述晶圆的表面平坦化；表面原子脱附步骤：提高所述表面原子的能量以使所述表面原子脱附所述晶圆，借以刻蚀所述晶圆。本发明在表面原子沉积和表面原子脱附之后加入表面原子修复，借此修复粗糙的表面形貌，避免因为持续对粗糙的表面形貌进行刻蚀而造成局部形貌刻蚀不足或者过度刻蚀的问题。

公开(公告)号：CN110534392B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201810515606.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 韦刚 ,  苏恒毅 ,  刘珂

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种射频阻抗匹配的方法、装置和半导体处理设备。方法包括：步骤S110、向匹配器发送控制信号；步骤S120、判断所述控制信号是否为步骤切换信号，并当判定为步骤切换信号时，执行步骤S130，反之，执行步骤S140；步骤S130、控制匹配器执行保持模式，所述保持模式的维持时间为预设时间t，之后执行步骤S140；步骤S140、控制匹配器开始阻抗匹配，以使得射频电源的输出阻抗与负载阻抗匹配。可以有效避免在步骤切换工艺中由于阻抗不稳定而导致的匹配器的误调整，增加保持模式，有效提高匹配的匹配速度和效率，并且，针对不同的工艺，保持模式所维持的预设时间t可以不同，能够大大拓展工艺的应用。