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公开(公告)号：CN112530780B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011358152.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN112366135A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011158806.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种硅原子层刻蚀方法，包括：步骤1：将待刻蚀的硅晶圆放入反应腔室；步骤2：向反应腔室内通入氧化氛围气体，将氧化氛围气体电离成等离子体，使硅晶圆裸露的表层原子发生氧化反应，生成固态的硅氧反应产物；步骤3：向反应腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体电离成等离子体，对硅氧反应产物进行刻蚀，其中刻蚀气体形成的等离子体对硅晶圆的刻蚀速率小于对硅氧反应产物的刻蚀速率。本发明能够实现精确控制需要刻蚀的原子的层数，同时避免提前刻蚀。
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公开(公告)号：CN111243948A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010053225.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/223 , H01L21/263
Abstract: 一种用于半导体加工的原子层刻蚀方法，包括：表面原子沉积步骤：向反应腔室中通入刻蚀气体以使所述刻蚀气体与晶圆的表面原子结合；表面修复步骤：通入修复气体以使所述修复气体吸附所述表面原子，其中，所述修复气体所包括的成分与制成所述晶圆的部分元素相同；调节用于承载所述晶圆的下电极的温度来调节所述晶圆的温度，借以移动所述表面原子使得所述晶圆的表面平坦化；表面原子脱附步骤：提高所述表面原子的能量以使所述表面原子脱附所述晶圆，借以刻蚀所述晶圆。本发明在表面原子沉积和表面原子脱附之后加入表面原子修复，借此修复粗糙的表面形貌，避免因为持续对粗糙的表面形貌进行刻蚀而造成局部形貌刻蚀不足或者过度刻蚀的问题。
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公开(公告)号：CN115020220A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210692585.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，可以在原位处理晶圆的前提下，显著降低硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量。
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公开(公告)号：CN110534402B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201810507777.5
申请日：2018-05-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。包括：向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括氟化的碳氢化合物气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述氟化的碳氢化合物气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中，所述氟化的碳氢化合物气体满足CHxFy，x和y均为大于等于1的正整数，且x+y＝4；将所述刻蚀气体电离以形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体，在预设的刻蚀参数下，对所述复合介质层进行一次刻蚀工艺，以选择性地完全或者部分刻蚀各所述介质子层，以获得预定的刻蚀图形。可以通过调控氟化的碳氢化合物气体、抑制类气体所占的流量或者比例，可以仅执行一次刻蚀工艺对复合介质层进行完全刻蚀或者精准减薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112366135B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011158806.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种硅原子层刻蚀方法，包括：步骤1：将待刻蚀的硅晶圆放入反应腔室；步骤2：向反应腔室内通入氧化氛围气体，将氧化氛围气体电离成等离子体，使硅晶圆裸露的表层原子发生氧化反应，生成固态的硅氧反应产物；步骤3：向反应腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体电离成等离子体，对硅氧反应产物进行刻蚀，其中刻蚀气体形成的等离子体对硅晶圆的刻蚀速率小于对硅氧反应产物的刻蚀速率。本发明能够实现精确控制需要刻蚀的原子的层数，同时避免提前刻蚀。
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公开(公告)号：CN114038766A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111151623.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体和设置于腔体中的基座、静电卡盘、第一下电极悬臂和第二下电极悬臂，静电卡盘设置在基座上，基座通过第一下电极悬臂固定在腔体的内壁上，并通过第一下电极悬臂的内腔与腔体外部的外设件连接，第二下电极悬臂与第一下电极悬臂分别位于基座相对的两侧，且基座通过第二下电极悬臂与腔体的内壁电接触，基座上形成有沿水平远离第一下电极悬臂方向延伸的外延部，且通过外延部与第二下电极悬臂固定连接。在本发明中，基座通过外延部与第二下电极悬臂固定连接，提高了基座两侧流场的对称性，且缩短了下电极对应于该侧的射频回路，提高了晶圆边缘刻蚀速率的周向均匀性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN112530780A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011358152.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111696863A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910199916.7
申请日：2019-03-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种硅介质材料刻蚀方法，其包括：向反应腔室内通入混合气体，并使所述气体电离形成等离子体，以选择性地对衬底上的待刻蚀硅介质材料进行刻蚀；其中，气体包括刻蚀气体和调节气体，调节气体能够电离形成单原子正离子，且不与刻蚀气体反应的调节气体，调节气体能够调节待刻蚀硅介质材料与衬底上的其他硅介质材料的刻蚀选择比。本发明提供的硅介质材料刻蚀方法，其不仅可以提高不同的两种硅介质材料的刻蚀选择比，且对刻蚀后的形貌结果影响较小，从而可以应用于高精度、原子层级的刻蚀工艺中以及刻蚀真空度较高(小于0.1Torr)的高密度等离子体刻蚀设备中。
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公开(公告)号：CN110534402A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810507777.5
申请日：2018-05-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。包括：向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括碳氟类气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述碳氟类气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中，所述碳氟类气体满足CHxFy，x和y均为大于等于1的正整数，且x+y＝4；将所述刻蚀气体电离以形成刻蚀等离子体；利用所述刻蚀等离子体，在预设的刻蚀参数下，对所述复合介质层进行一次刻蚀工艺，以选择性地完全或者部分刻蚀各所述介质子层，以获得预定的刻蚀图形。可以通过调控碳氟类气体、抑制类气体所占的流量或者比例，可以仅执行一次刻蚀工艺对复合介质层进行完全刻蚀或者精准减薄。
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