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公开(公告)号:CN113932949A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111183544.2
申请日:2021-10-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国家电网有限公司
Inventor: 王齐 , 李良 , 侯战斌 , 郭彦 , 王海宝 , 尉中杰 , 邹健 , 段晓萌 , 王晓东 , 陈方方 , 朱京蓥 , 马日红 , 孙恒超 , 王文赫 , 王峥 , 庞振江 , 王于波
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明提供一种电能表端子温度传感器功能检测探针及装置,该探针用于插入电能表端子的接线孔与电能表端子进行热交换,同时采集电能表端子的温度,包括:内部设置有冷热流体通道的探针座、探针温度传感器和连接件;探针座具有与电能表端子接触进行热交换的接触端,探针温度传感器通过弹性件与探针座的接触端固定。该检测探针采用冷热流体对电能表端子进行加热,能实现对被测电能表端子的快速升温和降温,在检测结束后能快速降温,以便进行被测电能表更换,可以模拟快速降温或者低温等异常情况。
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公开(公告)号:CN113590150A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202110734704.1
申请日:2021-06-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州万高科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种存储体控制方法、程序升级方法及设备,属于芯片技术领域。所述方法包括:选择指向程序的读取指令操作在有所述程序的第一存储体中执行;选择指向所述程序的写入指令操作在有所述程序的第二存储体中执行;在所述写入指令操作完成后,切换所述读取指令操作至所述第二存储体中执行。本发明可用于存储体控制和程序升级。
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公开(公告)号:CN113541938A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110709865.5
申请日:2021-06-25
Applicant: 国网山西省电力公司营销服务中心 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于无欺骗非阻塞信道的计算量非对称的存证方法,包括:客户端以及服务器端的存证方法。通过上述方式,本发明一种基于无欺骗非阻塞信道的计算量非对称的存证方法,用无欺骗非阻塞信道进行数据传输,服务器端和客户端不用预先共享秘密,并且不需要公钥基础设施和密钥分发中心,节省了大量的开发和维护资源;而且可以将耗时的椭圆曲线标量乘法从客户端转移到服务器端,在不降低安全性的情况下提高了算法效率。
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公开(公告)号:CN110011794B
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN201910288500.2
申请日:2019-04-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种密码机密钥属性的测试方法,包括:密码机根据测试设备发送的导入密钥指令,将第一索引、密钥以及第一密钥属性进行导入;导入成功后,测试设备发送下一条导入密钥指令,第一索引为索引初始值+1,第一密钥属性为密钥属性初始值+1;重复上述步骤,直至导入所有待导入的第一索引;密码机根据验证指令中待验证的第二索引对应的密钥以及待验证的运算功能信息进行计算,测试设备根据计算后的第一结果进行验证,判断与第二索引对应的密钥是否具备该运算功能,并在与第二索引对应的第二密钥属性中进行记录。本发明提供的密码机密钥属性的测试方法测试流程简单,便于统计,提高了测试的全面性、测试质量以及灵活性。
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公开(公告)号:CN110633574B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910877021.4
申请日:2019-09-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Inventor: 李良 , 王峥 , 黄旭 , 庞振江 , 王于波 , 丁岳 , 于同伟 , 王蒙 , 奥琛 , 卢岩 , 孙海全 , 葛维春 , 耿亮 , 杨文 , 吴超 , 任孝武 , 郭彦 , 刘建军 , 李佳琨
Abstract: 本发明公开了一种用于电力系统安全传输的椭圆曲线密码学ECC加密模块,该ECC加密模块中设置有最小时钟周期(LCC)模逆硬件结构,LCC模逆硬件结构包括:多个模2n次方器,多个模2n次方器包括模平方单元;模乘器,其输出端分别与多个模2n次方器的输入端相连接;第一多路选择器、第二多路选择器和第三多路选择器,第一多路选择器设置在模平方单元的输入端,第二多路选择器设置在多个模2n次方器的输出端,第三多路选择器设置在模乘器的输入端;第一输入端和第二输入端,其分别用于输入操作数;第一输出端和第二输出端,其分别用于输出模逆运算结果和模除结果;及控制模块,其用于控制多个多路选择器的路径选择。本发明的ECC加密模块能够有效缩短关键路径,从而降低计算延时。
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公开(公告)号:CN112532651A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN202011498778.1
申请日:2020-12-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型安全仿真单元,包括仿真密码机和仿真平台,所述仿真密码机和仿真平台之间通过电性连接,仿真平台的一端通过仿真通道连接有内部网络,所述仿真密码机的一端通过采集通道连接有密钥专网,密钥专网的一端通过采集通道连接有仿真主站,所述仿真主站的内部分别安装有安全仿真模组、安全仿真单元和外网路由器,所述安全仿真模组、安全仿真单元和外网路由器均通过通信网络与以太网总线相连接。本发明通过以太网接入装置局域网总线,实现装置内的安全设备的复用,安全单元ESAM高度复用,降低了装置BOM成本,安全单元集所有ESAM于一体,便于密钥更新和设备升级,通过RJ45接口接入以太网,提高安全单元的并发访问量。
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公开(公告)号:CN112235102A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN202011049940.1
申请日:2020-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L9/08
Abstract: 本发明实施方式涉及存储技术领域,特别涉及一种混合式密钥存储和管理方法,所述方法包括:响应于密钥操作请求;获取所述密钥操作请求中密钥的密钥类型;基于所述密钥类型确定所述密钥操作请求的目标区域;所述目标区域至少包括第一存储区域和第二存储区域;所述第一存储区域和所述第二存储区域具有不同的存储格式。同时还提供了一种对应的存储设备。本发明提供的实施方式,能够提升安全芯片等存储设备密钥访问的性能,丰富了安全芯片等存储设备的适用场景。
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公开(公告)号:CN111931534A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202010738305.8
申请日:2020-07-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明涉及无线通信技术领域,公开了一种电子标签的发行系统,包括:外壳,具有相互平行的第一面与第二面;扫描识读口,其位于第一面上且其与标签的正面相匹配;扫描装置,位于第二面上的特定位置,用于扫描标签的标识码以获得第一特征信息;超高频读写器,被布置在第二面上且以扫描装置为中心的第二预设区域内,用于识读标签的芯片所存储的第二特征信息;及处理装置,用于执行:接收第一特征信息;启动超高频读写器,以使其识读第二特征信息;以及在确定第一特征信息与第二特征信息相匹配的情况下,将第一特征信息中的身份标识写入该标签的芯片内。本发明可自动完成电子标签的发行过程,从而可极大地提升生产效率和生产良率。
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公开(公告)号:CN110737453A
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201910989342.3
申请日:2019-10-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
IPC: G06F8/65
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片的升级方法、装置及安全芯片,该安全芯片具有第一内存区和第二内存区,升级方法包括:安全芯片接收外部设备发送的第一指令,其中第一指令包括第一任务类型;判断安全芯片的状态;若安全芯片正在第二内存区执行第二指令,则分别获取与第二指令对应的第二任务类型、第二指令的优先级以及第一指令的优先级;若第一指令的优先级高于第二指令的优先级,则安全芯片中断第二指令的执行并在第一内存区执行第一指令。本实施例提供的安全芯片的升级方法、装置及安全芯片,使得安全芯片在执行任务的过程中,接收到优先级别高的任务可以立即响应,执行结束后再恢复当前执行的任务,提高安全芯片的工作效率。
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公开(公告)号:CN110204340A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910446144.2
申请日:2019-05-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I-型硅基笼合物的方法,其特征在于:包括原料混合、压块合成、酸洗及烘干步骤;所述的压块合成:反应压力为1GPa-3GPa,反应温度为700°C-825°C。本发明不需要惰性气体保护,不需要要采用纯元素合成,反应条件易于达到,大大降低了反应难度,缩短反应时间。
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