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公开(公告)号:CN110018565B
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN201910206674.X
申请日:2019-03-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高超快激光光束聚焦能力的方法和装置,解决了超快激光聚焦过程中因常见自聚焦效应易引起光束发散角增大而导致聚焦光斑大于聚焦理论值的问题。本发明通过超快激光光束的扩展准直以及限制激光边缘能量的方式,消除激光束发散角增大现象,并通过等光程非球面透镜设计得到直径尺寸可到5μm以下的聚焦光斑,为超快激光精细加工,特别是微米尺度精细加工,提供有效保障。
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公开(公告)号:CN106312341B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201610993833.1
申请日:2016-11-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/70 , B23K37/04 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/40
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/702 , B23K37/0443 , B23K2101/20
Abstract: 本发明公开了用于刀具刃口加工的工装夹具、装置及方法,工装夹具包括:夹具壳体内设有可转动的斜面底座,通过角度调节装置调节斜面底座的角度;斜面底座上装有上料板,上料板上均布有多个用于夹持待加工刀具并完成刃口加工的通槽;本发明的装置及方法为控制器分别与激光器、激光振镜相连,激光器的激光依次经过反射透镜和激光振镜使激光垂直于基准面入射至安装在上料板上的待加工刀具,完成刀具刃口的加工;其中,激光参数包括波长100nm~1064nm或10.6um,平均脉冲功率1w~500w,脉宽10ps~300ns,重复频率200kHz~10MHz。
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公开(公告)号:CN104195644B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410361090.7
申请日:2014-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光?化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2?400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70?80℃环境中,腐蚀10s?30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。
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公开(公告)号:CN104195644A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201410361090.7
申请日:2014-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2-400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10s-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。
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