一种提高超快激光光束聚焦能力的方法和装置

    公开(公告)号:CN110018565B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN201910206674.X

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种提高超快激光光束聚焦能力的方法和装置,解决了超快激光聚焦过程中因常见自聚焦效应易引起光束发散角增大而导致聚焦光斑大于聚焦理论值的问题。本发明通过超快激光光束的扩展准直以及限制激光边缘能量的方式,消除激光束发散角增大现象,并通过等光程非球面透镜设计得到直径尺寸可到5μm以下的聚焦光斑,为超快激光精细加工,特别是微米尺度精细加工,提供有效保障。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光?化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2?400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70?80℃环境中,腐蚀10s?30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2-400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10s-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

Patent Agency Ranking