公开(公告)号：CN219435813U

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202222583433.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 牛喜平 ,  魏晓光 ,  汤广福 ,  安运来 ,  桑玲 ,  张文婷 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  杨霏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型提供一种碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底、生成在所述碳化硅衬底上的缓冲层、生长在所述缓冲层上的漂移区、在所述漂移区上设有从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增大的集成二极管p区、pwell区和源极区域；其中，所述源极区域包括：n+区和p+区，所述p+区嵌于所述n+区内部，所述n+区嵌于pwell区内部。本实用新型通过形成具有多组宽度从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加集成二极管p区，可以增强二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，并且可以有效降低芯片中央的结温，从而使得降低结温的芯片中央和芯片边缘的温度差更小，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度。