一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法

    公开(公告)号:CN110739880A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201911032088.4

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法,其步骤包括:将碳化硅单晶片切割成碳化硅片,然后对碳化硅片进行超声清洗和化学腐蚀,除去碳化硅片表面的氧化物;以碳化硅片和石墨片分别作为阳极和阴极,在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化,制得碳化硅纳米线阵列;对碳化硅纳米线阵列进行剥离,使碳化硅纳米线阵列的阵列层脱落;以剥离后的碳化硅纳米线阵列为压电材料构筑上下电极式的压电纳米发电机。本发明提供的一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法,制备过程简单、输出性能优越。

    一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN114334631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111415718.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法,通过将硼铝共掺杂到碳化硅中,能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时,也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度,从而进一步优化了其光响应能力,提高了视觉传感的灵敏度;此外,通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中,能够增加碳化硅的结构不对称性,从而提升了其压电系数,增加其压电响应能力,进而提高了触觉传感的灵敏度;基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理,可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构,使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之,本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。

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