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公开(公告)号:CN110544732B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910807033.X
申请日:2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管,该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺,获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低,因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容,减小了RC时间常数,由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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公开(公告)号:CN107703624B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201710791448.3
申请日:2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域,提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔,具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为:分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜,实现偏向谐振腔中心的斜反射,斜反射在谐振腔内多次振荡耦合,形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场,驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定,从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题,能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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公开(公告)号:CN107703624A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710791448.3
申请日:2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域,提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔,具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为:分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜,实现偏向谐振腔中心的斜反射,斜反射在谐振腔内多次振荡耦合,形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场,驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定,从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题,能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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公开(公告)号:CN105140330A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510613957.8
申请日:2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结,利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽,并且降低了功耗。
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公开(公告)号:CN103378209A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201210147762.5
申请日:2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法,涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括:键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管;所述介质膜型滤波器包括衬底,以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜;所述衬底采用Si、InP或者GaAs;所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法,采用Si、InP或者GaAs作为衬底,有利于与其他有源或无源光器件进行集成;采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起,使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应,提高了通带效果,可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用,降低了通信成本。
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公开(公告)号:CN102050426B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN200910237082.0
申请日:2009-11-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法,其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成,所述方法包括如下步骤:a.在衬底上形成金属纳米颗粒;b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂,在所述有金属颗粒的位置,生长出第一种材料的纳米线;c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段;d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性,实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题,为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。
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公开(公告)号:CN114678264A
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202210220200.2
申请日:2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法,该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层,且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化,同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化,从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理,该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号:CN112234097B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202011052522.8
申请日:2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域,具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括:非特意掺杂III‑V族半导体层,及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构,成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时,本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性,将其作为III‑V族半导体有源器件的电极,有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号:CN111413757A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010137109.5
申请日:2020-03-02
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/18 , G02B27/10 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 本发明实施例提供一种柱状透镜、柱状分束透镜、光探测器及光探测器阵列,该柱状透镜包括:包括底层、氧化层和光栅层,所述柱状透镜为SOI结构,其中:所述氧化层设置在所述底层和所述光栅层之间;所述光栅层,用于对入射平行光进行相位调制,以使得透射光会聚成一条线状光斑;所述光栅层是由多种预设规格的方形光栅块按照预设排列顺序组成的,其中,每个方形光栅块的周期相同,相同预设规格的方形光栅块的长度和宽度相同,且每个方形光栅块的高度相同本发明实施例克服了传统柱状透镜体积大、不易制备及难于集成的缺点,具有易设计、体积小、易集成以及与CMOS工艺相兼容等优点,广泛应用于光显示和光通信系统,光探测器阵列实现大功率特性。
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公开(公告)号:CN108535801B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201810240360.7
申请日:2018-03-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明实施例提供了一种光学滤波器,包括:第一反射镜,以及至少包含一第二反射镜的法布里‑珀罗谐振腔,第一反射镜的反射率大于第一预设值;第二反射镜的中心波长位于第一反射镜的反射谱中以预设波长为中心的第一预设波长范围内;第一反射镜设置在法布里‑珀罗谐振腔内,在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层,光学优化层用于使光学滤波器在反射光谱区内包含预设波长的第二预设波长范围内的反射率小于第二预设值。本发明实施例提供的一种光学滤波器,通过在第一反射镜外嵌套一低Q值法布里‑珀罗谐振腔,在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层,可以将一定波长范围内的光通过反射镜的反射和透射分为两部分,实现不同波长的光的分离。
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