公开(公告)号：CN119170675A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411198884.6

申请日：2024-08-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张雅丽 ,  何宇业 ,  张尚剑 ,  刘永

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种使用阵列光栅技术的光电探测器，在该器件中，半绝缘衬底上外延生长稀释波导与光电探测器有源区，在波导侧刻蚀掉一定长度的稀释波导后外延生长阵列光栅，使得信号光先经过阵列光栅后再进入稀释波导，在稀释波导内逐渐向上耦合至光电探测器吸收层。在光电探测器工作时，信号光先从端面耦合进入阵列光栅中初步汇聚，再端接进入稀释波导，在稀释波导内逐渐向上耦合至光电探测器吸收层，最终在光电探测器吸收层中被吸收转化为光生载流子。该结构可以使得光电探测器捕获更强的光功率耦合进吸收层，有助于提高光电探测器的响应度。

公开(公告)号：CN112567536B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201980053137.4

申请日：2019-08-23

Applicant: 纳米2D材料有限公司

Inventor： 奈杰尔·皮克特 ,  斯图尔特·斯塔布斯 ,  纳瑟莉·格雷斯蒂

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H10K30/60 ,  H10K30/10

Abstract: 一种光电探测器(200)包括：底部电极(210)；布置在该底部电极上的中间层(220)；布置在该中间层上的光吸收层(230)，该光吸收层具有一种或多种电荷传输材料，和分散在该一种或多种电荷传输材料中的多个二维量子点(2D QD)；以及布置在该光吸收层上的顶部电极(240)。一种异质结构光电探测器(300)包括：底部电极(310)；布置在第一电极上的第一光吸收层(320)，该第一光吸收层具有第一光吸收材料；布置在该第一光吸收层上的第二光吸收层(330)，该第二光吸收层具有第二光吸收材料；以及布置在该第二光吸收层上的顶部电极(340)，该第一或第二光吸收材料中的至少一种是多个二维量子点(2D QD)。

公开(公告)号：CN119092585A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411239171.X

申请日：2024-09-05

Applicant: 江苏大学

Inventor： 吕全江 ,  李容凡 ,  刘军林 ,  王子 ,  付瑞硕 ,  刘阳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及铅盐红外阵列传感器领域，尤其涉及一种铅盐红外传感阵列结构及其制备方法。结构包括：探测单元阵列、纵向电极M列、钝化绝缘层、横向电极N行。探测单元包括铅盐敏感元、连接电极、共用电极和异质PN结。探测单元电信号由某行横向电极输入，经异质PN结沿垂直方向正向传输，通过共用电极沿水平方向传输至铅盐敏感元，通过连接电极导入各列纵向电极，进行各探测单元的信号读取与处理。本发明采用多层薄膜制备工艺构造传感器结构，利用钝化绝缘层进行横向输入、纵向输出电极的电隔离，降低互通复杂性；集成铅盐探测器和异质PN结，利用PN结单向导电性解决行列扫描中耦合效应同时实现大规模集成。

公开(公告)号：CN119092568A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202310656990.3

申请日：2023-06-05

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  李仁志 ,  刘文博 ,  李明达

IPC: H01L31/032 ,  C01G3/00 ,  H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种类圆形结构CsCu2I3钙钛矿薄膜以及紫外光电探测器，所述的CsCu2I3薄膜由紧密堆积的类圆形晶粒构成，晶粒之间无缝隙，均匀分布于整个薄膜中，晶粒的直径0.01‑100μm，薄膜厚度为80‑2000nm。本发明薄膜相比于现有的纳米晶和微米线，制备工艺更简单、重复率更高，而且薄膜样品更容易满足大面积和柔性器件的制备，有着更广泛的应用场景和潜力，可用于电弧成像、光学测量、导弹制导、夜视系统、机器视觉、柔性可穿戴探测设备等，在图像传感、军事监察、天气监测、信息通讯等领域有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119050193A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411235001.4

申请日：2024-09-04

Applicant: 南京晓庄学院

Inventor： 李婧 ,  周恺

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了基于二硒化铂/GaN/石墨烯的光电探测器及制备方法，包括源极、漏极、二硒化铂层、多孔GaN薄膜、石墨烯层和绝缘衬底层；二硒化铂层、多孔GaN薄膜与石墨烯层自上而下依次呈相互错落重叠的非对称范德华异质结垂直结构，石墨烯层设于绝缘衬底层的上表面；源极沉积于石墨烯层的上表面一侧；漏极沉积于二硒化铂层的上表面一侧。通过结构优化，大大缩小了沟道长度和耗尽层中载流子的渡越时间，同时兼具多孔GaN薄膜光捕获能力强和非对称垂直异质结载流子提取效率高的特性，可在自驱动条件下实现对紫外光的快速、高灵敏度探测。

公开(公告)号：CN119029080A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411506617.0

申请日：2024-10-28

Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

Inventor： 李绍娟 ,  谭帆 ,  常春禄 ,  张楠 ,  冯言泽 ,  石亚茹

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L27/144

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，本申请提供一种基于气体吸附辅助的二维材料光电突触及视觉单元，其中，光电突触包括阵列式排列的多个光电异质结单元，每个所述光电异质结单元具有Ta2NiSe5/SnS2结构，其中，所述Ta2NiSe5/SnS2结构具有预设的带隙结构，所述Ta2NiSe5/SnS2结构使得每个所述光电异质结单元接收预设波长的N个光脉冲后能够对所述光脉冲产生的光电流存储预设时长，N为大于等于1的自然数。该光电突触具有Ta2NiSe5/SnS2结构，Ta2NiSe5/SnS2结构通过利用空气中的水氧分子的物理吸附对载流子输运行为的调控，提高了光电突触的光电流保持性能。

公开(公告)号：CN119008766A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410875337.0

申请日：2024-07-02

Applicant: 昌吉学院

Inventor： 张保花 ,  郭福强 ,  徐畅 ,  张聪婷 ,  林霜

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及ZnO/CdS异质结紫外光电探测器及其制备方法。本发明通过成本低廉、绿色环保的水热法合成ZnO/CdS异质结，并制备得到ZnO/CdS异质结紫外光电探测器。该ZnO/CdS异质结紫外光电探测器中颗粒状的CdS包覆在ZnO纳米棒表面，提高了ZnO的性能，实现了对紫外光的高响应性、高敏感性、快速的响应和恢复时间，并且具有良好的稳定性和重复性。

公开(公告)号：CN115224134B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202210792791.0

申请日：2022-07-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林宏焘 ,  马辉 ,  钟础宇 ,  魏茂良 ,  巨泽朝

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  G02B6/10

Abstract: 本发明公开了一种混合波导集成二维材料中红外光电探测器。包括蓝宝石衬底；硅波导传输层形成在蓝宝石衬底之上；二维材料层位于硅波导传输层的中部上；硫系条形波导形成在二维材料层的中间上；两个电极形成在二维材料层的两侧上；硫系盖层形成在硅波导传输层上，且包覆二维材料层、硫系条形波导和电极。本发明是中红外低损的蓝宝石‑硅‑硫系材料混合波导结构，二维材料通过范德华力易于集成且室温下工作优势，通过极大的增强光与物质相互作用。

公开(公告)号：CN118943208A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310517673.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈润 ,  黄北举 ,  程传同 ,  吕晓庆 ,  马正泰 ,  卢凯威

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。

公开(公告)号：CN118156339B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202311827938.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 云南师范大学

Inventor： 谭秋红 ,  王前进 ,  马然 ,  刘应开

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光成像技术领域，公开了一种MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结光电探测器及制备方法，该器件包括MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结；所述CdS0.42Se0.58薄片包括：Cd、S和Se。本发明制备了一个基于少层MoTe2/CdS0.42Se0.58薄片异质结的高性能光电探测器。该光电探测器的高响应率为7221A/W，电流的开态与关态比为1.73×104，快速响应速度为90/120μs，外量子效率(EQE)最高可达1.52×106％和探测率(D*)达到1.67×1015Jonse。通过光电流映射测试和第一性原理计算，分析了异质结光电探测器的优异性能。在MoTe2/CdS0.42Se0.58上成功地获得了可见光成像功能，这表明该器件具有实际的成像应用前景，本研究结果为基于超高性能光电探测器MoTe2的设计提供了参考。