一种半互穿网络结构质子交换膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103724643B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201310749996.1

    申请日:2013-12-31

    CPC classification number: Y02E60/523

    Abstract: 本发明属于膜科学领域,特别涉及一种半互穿网络结构质子交换膜及其制备方法。本发明方法将磺酸型聚合物、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二苯甲酮溶解于极性溶剂中,将所获得的溶液在一定温度下加热使溶剂挥发,当溶剂残留量达到一定含量时,得到具有凝胶态的膜,将所得具有凝胶态的膜在紫外灯下照射一定时间,再由稀硫酸和水的浸泡除去所有剩余溶剂,并使所得的膜内全部磺酸根转换成酸的形式,得到一种半互穿网络结构质子交换膜。本发明方法所得的质子交换膜材料具有较高的质子电导率、较低的甲醇渗透率以及可靠的尺寸稳定性,可应用于直接甲醇燃料电池。

    一种聚合物太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN104009160A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410268150.0

    申请日:2014-06-17

    Abstract: 本发明属于光伏材料与器件制备领域,特别涉及一种聚合物太阳电池及其制备方法。本发明聚合物太阳电池采用依次层叠的方式,从底层依次为衬底、透明导电金属氧化物阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层,所述的阳极修饰层和阴极修饰层为通过不同方式处理的草酸铌膜。阳极修饰层可以有效的实现空穴的收集,在提高ITO功函的同时不易腐蚀ITO;阴极修饰层可选择性地收集电子、阻挡空穴,从而增大开路电压;通过阳极和阴极同时修饰使聚合物太阳能电池表现优异的性能。

    基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103972416A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410206672.8

    申请日:2014-05-15

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/0002 H01L51/0034 H01L51/5092

    Abstract: 本发明属于发光二极管器件制备技术领域,特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层,其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层,将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中,实现了电子的有效注入;并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比,本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单,成本低廉,实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。

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