公开(公告)号：CN118073447A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410232243.1

申请日：2024-03-01

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 赵见国 ,  王海潮 ,  徐儒 ,  常建华

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明公开了一种可调谐深紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，包括衬底、六方氮化硼薄膜、表面等离激元结构、氧化镓薄膜、第一电极、第二电极和第三电极；六方氮化硼薄膜固定于衬底上方，包括依次连接的第一晶域、台阶和第二晶域，第二晶域的厚度大于第一晶域，表面等离激元结构固定于台阶的斜面上；氧化镓薄膜固定于第二晶域上方，第一电极固定于氧化镓薄膜上方，第二电极固定于第一晶域上方，第三电极同时连接氧化镓薄膜和第二晶域；本发明通过表面等离激元共振效应的表面改性可以显著提高材料的光电性能，从而使探测器拥有更高的响应度和更快的响应速度，实现对185～210nm和250～270nm两种波长的紫外光选择性探测。

公开(公告)号：CN115360232A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211018417.1

申请日：2022-08-24

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 赵见国 ,  索博研 ,  徐儒 ,  常建华

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/80 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明公开了一种Pocket结构的Si/Ge异质结围栅隧穿场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括半导体Si衬底，半导体Si衬底上设有P型重掺杂半导体Ge的源区、N型重掺杂半导体Si的漏区和设于源区与漏区之间的STI氧化层；源区和漏区之间设有N型轻掺杂半导体Si的沟道区域和N型重掺杂半导体Si的Pocket区域，源区侧部设有嵌入到Pocket区域的半导体Ge凸起，嵌入的凸起形成Ge/Si异质结结构；沟道区域和Pocket区域之间设有异质栅电极，异质栅电极的侧部设有侧墙区，沟道区域和Pocket区域的表面设有栅介质层。本发明晶体管具有更高的开态电流、更陡峭的亚阈值摆幅斜率、更强的栅控能力、优秀的射频特性，同时能够抑制双极性电流，改善隧穿场效应晶体管亚阈值特性。

公开(公告)号：CN222395996U

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202420834371.9

申请日：2024-04-22

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 李月华 ,  万发雨 ,  徐儒 ,  张瑞浩 ,  徐佳闰

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/00 ,  H10D64/27

Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化，且所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述栅极引入有场板。本实用新型通过引入场板结构，分散了栅极边缘的电场线，栅极边缘的电场强度也得到有效降低，使得耗尽层中的电场分布更加均匀，从而减少了电子隧穿到表面陷阱的可能性，进一步阻碍了虚栅效应的形成，有效减少了器件的电流崩塌现象。

公开(公告)号：CN222564254U

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202420719765.X

申请日：2024-04-09

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 万发雨 ,  张瑞浩 ,  徐儒 ,  李月华 ,  徐佳闰 ,  赵星

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本实用新型通过引入组分渐变的背势垒层，有效地增强沟道中的电子约束，抑制器件短沟道效应，改善器件的直流特性，进而提高GaN基HEMT器件的功率特性。面对背势垒结构带来的界面散射问题，渐变组分背势垒结构相较于固定组分背势垒结构能减小界面散射与寄生参数，减少了对GaN主沟道的影响，提升了器件小信号与大信号特性。

公开(公告)号：CN222395995U

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202420778935.1

申请日：2024-04-16

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 李月华 ,  万发雨 ,  徐儒 ,  张瑞浩 ,  徐佳闰

IPC: H10D30/47 ,  H10D64/27

Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化层，SiN钝化层左右布设在栅极两侧，且与栅极之间具有一段距离；所述栅极包括栅帽，所述栅帽的中心位置固定连接有栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。本实用新型通过设置的栅极结构，通过小基足构成短栅长，同时用大横截面积，最小化栅极电阻和极间电容Cgd，从而能够提高器件的频率特性。

公开(公告)号：CN222582863U

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202421020068.1

申请日：2024-05-11

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 张瑞浩 ,  万发雨 ,  徐儒 ,  李月华 ,  徐佳闰

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/85

Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层上方连接有AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本发明与传统固定组分势垒器件相比，GaN组分渐变复合势垒器件在AlGaN和GaN材料之间的线性错位和晶格散射更小，能够提升器件的电学性能，由于GaN的肖特基势垒较低，传统固定组分势垒器件栅极泄漏电流较大，本发明的沟道从GaN组分渐变到AlGaN，能够产生更高的势垒高度并形成浓度更高、范围更宽的三维电子气，使器件具有更好的跨导平坦度，提高器件的线性度，带来更好的输出性能表现。

公开(公告)号：CN218159378U

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202222547941.X

申请日：2022-09-26

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 赵见国 ,  王海潮 ,  潘江涌 ,  徐儒 ,  杨旻荟

IPC: G09B23/22

Abstract: 本实用新型公开了教学实验技术领域的一种基于激光器的综合光学实验系统，综合光学实验系统包括光学现象产生模块、光强检测模块、传动模块和系统处理模块，所述光学现象产生模块用于产生光学物理图像，光学现象产生模块包括光学导轨、激光器、光学狭缝和光屏，激光器和光学狭缝均置于光学导轨之上，激光器和光学狭缝的相对位置可调整，光强检测模块固定在传动模块之上，激光器和传动模块分别置于光学导轨的两侧，光学狭缝位于两者之间，系统处理模块同时控制光强检测模块和传动模块。本系统能够满足自动、半自动和手动进行光学实验的需求，并能自动进行相关数据采集、记录和分析，实现简单和准确的光学物理实验。