公开(公告)号：CN110233427B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201910505261.1

申请日：2019-06-12

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 蔡玮 ,  韩冰 ,  王新迪

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01S5/10

Abstract: 本申请公开了一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法，使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术在硅衬底氮化镓晶圆上表面经过两次刻蚀形成三层阶梯状台阶；使用磁控溅射技术在三层阶梯状台阶中间台面和下台面同时蒸镀形成p型电极和n型电极；使用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀u‑GaN层获得高Q值光子晶体纳米腔；再使用PDMS将增益介质WS2单层膜转印到光子晶体纳米腔表面，WS2单层膜上下表面旋涂CYTOP进行双面封装。在电流注入下，InGaN/GaN量子阱MQWs层自发辐射发出的蓝光经光子晶体纳米腔及WS2单层膜增益后形成红色激光并沿着器件表面法线方向出射。

公开(公告)号：CN110518031A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910804921.6

申请日：2019-08-29

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 蔡玮 ,  韩冰 ,  王新迪

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法，通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p-GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n-GaN层、缓冲层和硅衬底层，缓冲层上设置光源、探测器和有源波导，所述光源、探测器和有源波导均包括p-n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极，各p-n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂，不能晶圆级集成等问题，简化了制备工艺，传输损耗小，可应用于光通信和光传感领域，能够实现更长距离的片上光信号传输。