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公开(公告)号：CN110716260A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910862907.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种同质集成激光器、反射镜和探测器的通信芯片及制备方法，芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，采用相同工艺步骤制备了两个单片集成的激光二极管，反射镜在刻蚀激光二极管的阶梯状台阶时同时获得，激光二极管在受激辐射模式下工作时作为光源向外发射调制激光信号，在自发辐射模式下工作时作为探测器探测来自外部的激光信号，激光器发出的调制激光信号通过自由空间传输，经氮化镓反射镜反射后到达探测器。本发明的制备方法简化了工艺步骤，降低了工艺难度，提高了制备成功率，而且对准精度更高，制成的通信芯片能够实现基于镜面反射的同质集成片上高速激光通信，有效增强了通信芯片的通信性能，可广泛应用于激光通信和激光传感领域。
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公开(公告)号：CN109149361A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811175947.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 南京工程学院
CPC classification number: H01S5/18361 , H01S5/187 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法，使用深硅刻蚀技术，完全剥离器件底部的硅衬底，再使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术从背面刻蚀掉AlN层、AlGaN层和部分n‑GaN层来调控垂直谐振微腔长度；垂直谐振微腔顶部和底部的反射镜均由电子束蒸发技术沉积电介质布拉格反射镜实现；位于p型电极键合区下方的绝缘隔离层和顶部反射镜使用一步电子束蒸发工艺同时完成。在制备过程中，可以通过调控相关参数来实现激光波长和出射方向的选择，从而获得波长可调、激光出射方向可控的电泵浦硅衬底GaN激光器。本发明提出的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器成本低、制备工艺简单，可用于多个领域。
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公开(公告)号：CN110716260B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910862907.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种同质集成激光器、反射镜和探测器的通信芯片及制备方法，芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，采用相同工艺步骤制备了两个单片集成的激光二极管，反射镜在刻蚀激光二极管的阶梯状台阶时同时获得，激光二极管在受激辐射模式下工作时作为光源向外发射调制激光信号，在自发辐射模式下工作时作为探测器探测来自外部的激光信号，激光器发出的调制激光信号通过自由空间传输，经氮化镓反射镜反射后到达探测器。本发明的制备方法简化了工艺步骤，降低了工艺难度，提高了制备成功率，而且对准精度更高，制成的通信芯片能够实现基于镜面反射的同质集成片上高速激光通信，有效增强了通信芯片的通信性能，可广泛应用于激光通信和激光传感领域。
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公开(公告)号：CN110518031B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910804921.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 南京工程学院
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种同质集成光源、探测器和有源波导的通信芯片及制备方法，通信芯片基于硅衬底氮化镓晶圆制备，所述硅衬底氮化镓晶圆从上至下依次包括p‑GaN层、InGaN多量子阱层、InGaN波导层、AlGaN包覆层、n‑GaN层、缓冲层和硅衬底层，缓冲层上设置光源、探测器和有源波导，所述光源、探测器和有源波导均包括p‑n结、绝缘隔离层、p型电极和n型电极，各p‑n结通过对所述硅衬底氮化镓晶圆刻蚀而成。本发明能够解决异质集成通信芯片器件制备工艺复杂，不能晶圆级集成等问题，简化了制备工艺，传输损耗小，可应用于光通信和光传感领域，能够实现更长距离的片上光信号传输。
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公开(公告)号：CN118337280A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410421545.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 南京工程学院
IPC: H04B10/116 , G02B6/42 , H05B45/30 , H05B45/00 , F21V5/04 , F21V23/00 , H04B10/516 , H04L25/03 , H04L27/26 , F21Y115/10 , F21W131/402
Abstract: 本发明公开了一种煤矿井下可见光通信方法、通信装置及巡检机器人，通信方法包括井下巡检机器人采集矿井监测数据与图像信息，并将监测内容转换为光信号，通过设置在矿井内的通信组件将光信号传输至后台管理舱室内，后台管理舱室的控制指令传输至矿井内对应的灯带的LED灯处，控制LED灯的明暗变化向井下巡检机器人传递控制指令；本发明利用煤矿井下的LED灯带进行可见光信号传输，并利用光源位置可以进行巡检机器人的位置定位，从而可以简化通信设备的安装难度，降低通信成本；通过透镜阵列进行二次配光，可以尽可能避免自干扰信号被信号段所接收，从而最大程度上减少信号在空间传播过程中的衰减，使得可见光通信传输信号时更加精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114802663B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210480568.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种单关节仿生水下可见光通信无人潜航器、系统及控制方法，潜航器包括透明半球前罩、透明圆柱舱体、压载舱、水泵、单关节仿生鱼鳍、摄像头、处理器、控制器、舵机组件和通信组件，通信组件包括分布安装于透明圆柱舱体内的多个可见光通信组件等。本发明的潜航器设有单关节仿生推进器与压载舱的组合，可以实现在同一水平面实现前进、左右转以及掉头等操作，并且潜航器在运动过程中始终处于低噪声状态，通过使用可见光无线通信技术，可以在不使用脐带缆的同时，实现对无人潜航器的遥控和图像的实时反馈。无人潜航器之间也可以通过可见光无线通信组成物联网，提高无人潜航器与地面站之间的联系，预防无人潜航器丢失。
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公开(公告)号：CN114802663A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210480568.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种单关节仿生水下可见光通信无人潜航器、系统及控制方法，潜航器包括透明半球前罩、透明圆柱舱体、压载舱、水泵、单关节仿生鱼鳍、摄像头、处理器、控制器、舵机组件和通信组件，通信组件包括分布安装于透明圆柱舱体内的多个可见光通信组件等。本发明的潜航器设有单关节仿生推进器与压载舱的组合，可以实现在同一水平面实现前进、左右转以及掉头等操作，并且潜航器在运动过程中始终处于低噪声状态，通过使用可见光无线通信技术，可以在不使用脐带缆的同时，实现对无人潜航器的遥控和图像的实时反馈。无人潜航器之间也可以通过可见光无线通信组成物联网，提高无人潜航器与地面站之间的联系，预防无人潜航器丢失。
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公开(公告)号：CN111675160A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010512311.1
申请日：2020-06-08
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 一种适用于电力电缆维护巡检的检测设备及检测方法，它涉及电力辅助装置技术领域。它包含车体、动力电机、发电机、连接轴、车轮、油缸、组合锂电池、旋转电机、旋转齿轮、动力齿轮、支撑臂、吊篮、驾驶室、支撑柱，所述旋转齿轮安装在车体的上方左侧一端，动力齿轮位于旋转齿轮的一侧，且动力齿轮与旋转齿轮齿轮配合连接，动力齿轮的正下方安装有旋转电机，且旋转旋转电机位于车体的内部，支撑柱安装在旋转齿轮的正上方中间位置，支撑臂安装在支撑柱的上方，吊篮安装在支撑臂的前部，它功能多样化，能够直接控制其前进和后退，还能根据检修的高度进行调节，方便检修人员的实际操作，在登高作业时，能够确保登高检修人员的安全性。
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公开(公告)号：CN111600223A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010512298.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 一种用于光伏电网的高防护型电力储能装置及控制方法，所述电柜安装在底座的正上方中间位置，所述蓄电池安装在电柜的内侧底部，所述逆变器、电量表和总电闸依次安装在电柜的内部，且逆变器、电量表和总电闸位于蓄电池的上方，所述顶棚安装在电柜的外部正上方，所述排风扇安装在电柜的内侧顶部上方，四个所述吹风扇分别两两相对应安装在电柜的内部左右两侧，所述避雷针安装在顶棚的上方一侧，所述检测装置安装在底座的内部中间位置，所述驱鸟器安装在顶棚的另外一侧,它结构简单，能够有效的防止雷击和日光的暴晒，通过排风扇和吹风扇可以确保电柜内部的温度，同时，还通过检测装置可以检测电柜所处位置的积水情况，避免发生电击伤人事故。
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公开(公告)号：CN110233427A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910505261.1
申请日：2019-06-12
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本申请公开了一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法，使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术在硅衬底氮化镓晶圆上表面经过两次刻蚀形成三层阶梯状台阶；使用磁控溅射技术在三层阶梯状台阶中间台面和下台面同时蒸镀形成p型电极和n型电极；使用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀u-GaN层获得高Q值光子晶体纳米腔；再使用PDMS将增益介质WS2单层膜转印到光子晶体纳米腔表面，WS2单层膜上下表面旋涂CYTOP进行双面封装。在电流注入下，InGaN/GaN量子阱MQWs层自发辐射发出的蓝光经光子晶体纳米腔及WS2单层膜增益后形成红色激光并沿着器件表面法线方向出射。
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