一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路

    公开(公告)号:CN115295065A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202211224306.6

    申请日:2022-10-09

    Abstract: 本发明涉及超大规模集成电路可测性设计领域,公开了一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路,电路核心结构位于中介层,包括灵活可配置模块FCM、控制信号配置模块和测试状态控制模块;FCM采用双路斜对称结构,实现水平方向及垂直方向的数据传输;控制信号配置模块连接所有FCM的控制信号,控制着所有FCM的数据传输方向以及导通和截断状态;测试状态控制模块控制着FCM和控制信号配置模块内部数据的移位和更新操作。本发明可满足多种场景芯粒的测试需求,实现对原有DFT测试逻辑的复用,满足芯粒即插即用的策略,提升测试的灵活性和可控性。

    一种基于相关双采样的伪差分结构微弱电流积分电路

    公开(公告)号:CN111510079A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010298601.0

    申请日:2020-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于相关双采样的伪差分结构微弱电流积分电路,包括一个带输入共模反馈的电路的差分放大器A1、一个寄生等效电容Cp、一个哑电容Cdum、两个对称的输入共模反馈电容、两个对称的反馈电容、两个对称的自归零电容。本发明采用相关双采样电路将输入电流信号转换成保持电容上的电压,通过自归零电容存储放大器的失调和低频噪声信息。运用伪差分结构的电路来减少MOS开关工作时的电荷注入和时钟馈通效应。引入输入共模反馈电路来抑制放大器A1输入端的共模波动,减小因共模-差模变换导致的误差。

    一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法

    公开(公告)号:CN108257645B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201810154805.X

    申请日:2018-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于低电压SRAM的稳定性故障测试方法,在低电压SRAM上增加测试电路,形成测试模式下低电压SRAM的位线BLB所需的浮动0和浮动1,能够准确测量低电压SRAM单元中的稳定性故障,同时,通过在低电压SRAM内注入稳定性故障,通过外加测试电路的方式来攻击该低电压SRAM,可以避免对内部低电压SRAM造成干扰,并可以减小交叉耦合的晶体管与电源或地之间稳定性故障的最小可检测电阻,以达到提高检测灵敏性的目的,测试方法,精确度高,设计巧妙,具有良好的前景。

    一种用于成像辐射计的扫描平台

    公开(公告)号:CN108758189B

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201711483582.3

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本发明公开一种用于成像辐射计的扫描平台,包括T字形支架;第一直线位移机构,第二直线位移机构,油泵,连通所述直线位移机构和一油箱;控制器,其连接所述直线位移机构和油泵;以及上位机,其与所述控制器通过串口进行通信,所述上位机上设置有显示装置;所述直线位移机构包括:驱动机构,第一导轨,第一滑块,其滑动设置在所述第一导轨内,第二导轨,其设置在所述第一导轨上端,第二滑块,其滑动设置在所述第二导轨内,第三滑块,其连接在所述第二滑块上端,测距模块,其中,油泵通过一电磁阀与所述第二导轨的内部端头空间连通,所述电磁阀上设置有一流量计。本发明解决了扫面平台上滑台移动距离不精确的技术问题。

    一种可变非正多边形的螺旋电感的生成方法及系统

    公开(公告)号:CN119720924A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202510246628.8

    申请日:2025-03-04

    Abstract: 本发明公开一种可变非正多边形的螺旋电感的生成方法及系统,属于集成电路射频电感版图绘制领域;生成方法包括:设置可变非正多边形螺旋电感结构的参数值;在可变非正多边形螺旋电感结构其中一圈中,根据参数值计算各顶点坐标;计算可变非正多边形螺旋电感结构每一圈的线圈宽度和每一圈的电感内径,并基于可变非正多边形螺旋电感结构其中一圈中的顶点坐标,来计算到整个可变非正多边形螺旋电感结构的所有顶点坐标;根据得到的所有顶点坐标,绘制可变非正多边螺旋电感结构。通过调整螺旋电感的伸缩率就可以轻松改变它的形状从而使它可以适应任意矩形区域,可以充分地利用版图面积的利用率,这将为布局工作带来极大的便利。

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