一种动态碳层包覆的双金属铜基催化剂制备方法及应用

    公开(公告)号:CN118744004A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410727261.7

    申请日:2024-06-06

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种动态碳层包覆的双金属铜基催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)将金属盐混合物,金属钼源,碱金属盐和保护剂加入水中搅拌蒸干后研磨成粉末,将所得粉末焙烧后制得催化剂前驱体;(2)将催化剂前驱体在含碳源的渗碳气体中进行渗碳处理后制得到含渗碳料的催化剂;(3)将含渗碳料的催化剂在氧化性气氛中进行钝化处理即可。本发明所提供的催化剂还可用于合成气加氢制低碳醇反应,结果表明本发明所制备的催化剂可通过动态碳层封装双金属Cu–Co和Cu–Fe抑制了合成气加氢反应过程中相分离,极大增加了低碳醇的选择性,并表现出高稳定性。本发明所提供的方法为实现制备高选择性高稳定性合成气制低碳醇催化剂开创了一个有前景的途径。

    具有埋层结构的碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备

    公开(公告)号:CN116995117A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310929954.X

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 具有埋层结构的碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备,涉及紫外光电探测器。设有碳化硅高掺杂n+型衬底,在n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层,在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层,在n‑型吸收层中设单个或多个圆柱状碳化硅n型电荷埋层,在n‑型吸收层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层,在p+型欧姆接触层上设二氧化硅钝化隔离层。在p+型欧姆接触层上表面设p+型环形欧姆接触电极,n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。n‑型吸收层阻抗高,在高阻抗n‑型吸收层中引入低阻抗n型电荷埋层,可对n‑型吸收层的电场调制,使探测器可在较低电压下发生雪崩击穿,获得更高的量子效率和增益。

    一种用于合成气制含氧化学品铜–钴金属碳化物催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN110538669B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910712671.3

    申请日:2019-08-02

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种用于合成气制含氧化学品铜–钴金属碳化物催化剂及其制备方法,涉及金属碳化物催化剂。催化剂的组成包含活性金属和载体,化学式为xCuiCoj/Mo2C;i和j代表催化剂中相关金属元素Cu和Co的摩尔系数比例,x表示金属Cu和Co在总的催化剂中的质量百分含量。按催化剂各组分配比,将分别含计量比的硝酸铜、硝酸钴和钼酸铵加入含有去离子水的容器中,搅拌溶解,再置于油浴中加热,搅拌至糊状,烘箱干燥,研磨成粉末后置于焙烧,得氧化物前驱体,再置于管式炉中升温渗碳,得金属碳化物前驱体;进行催化反应时,常压下通入15%CH4/H2混合气升温活化,得工作态催化剂。能有效提高总醇和C2+‑OH选择性及稳定性。

    一种具有微米柱结构的碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117766616A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311782163.5

    申请日:2023-12-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种具有微米柱结构的碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法,在碳化硅高掺杂n+型衬底中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层,在n‑型吸收层中设大面积圆柱管状碳化硅高掺杂p+型电场强度调节层,在n‑型吸收层中心向上设小面积圆柱状碳化硅n型电荷层,n型电荷层上设碳化硅低掺杂p‑型倍增层,p‑型倍增层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层,微米柱结构侧面及n‑型吸收层上表面设钝化隔离层,p+型欧姆接触层上表面设有p+型欧姆接触电极,p+型电场强度调节层部分上表面设p+型环形欧姆接触电极,n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。探测器的光谱响应度和外量子效率有效提升,同时探测器的暗电流有所降低。

    一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN116314421A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310205135.0

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法,涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层;整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构,两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极,p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极,避免光生载流子复合问题,提高收集光生载流子效率,获得更高器件响应度。

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