公开(公告)号：CN114927559A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210555055.3

申请日：2022-05-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  王小杰 ,  张国良 ,  付钊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种新型碳化硅基超结沟槽型MOSFET及制备方法，涉及半导体SiC材料。MOSFETs在沟槽p型屏蔽层和p体区下方增加3个p+柱区和2个n+柱区，从而形成半超结结构。正向导通时，电流沿着n柱区自上而下流动，n柱区的存在增加电流路径中载流子的浓度，使器件具有更好的正向导通特性；反向阻断时，超结结构能够达到基本的电荷平衡形成耐压更高的类本征半导体，另外在局部区域，三角形电场转化为梯形电场。在相同的雪崩电场下相比于传统结构击穿电压更高。因此，这一结构缓解p型屏蔽层拐角处的电场拥挤效应，同时能增加通态电流和减小通态电阻。

公开(公告)号：CN114242771A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111443699.5

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构，属于碳化硅功率半导体领域。提供结合碳化硅材料特性，通过顶部栅极挖孔，来实现透光，同时通过在JFET区域的底部进行高掺来实现同种掺杂的耗尽层，从而产生更多光生载流子的一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构。适用于双极型器件IGBT和单极型器件碳化硅MOSFET，由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区/N型掺杂衬底、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂JFET区、N型低掺杂JFET区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极/漏电极。可应用于600V以上高压领域，采用光增强结构，导通特性好。