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公开(公告)号：CN118191031A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410432111.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种七电极式电导率传感器电导率测量电路及方法，包括DDS数字频率合成器、七电极电导率传感器、放大电路、模拟开关、精密全波整流电路、低通滤波电路、ADC采样模块，DDS数字频率合成器在主控模块的控制下输出一个正弦波激励信号对七电极电导率传感器进行激励，采集七电极电导率传感器的两路反馈信号和精密采样电阻上激励信号的电压信号，经放大电路放大后，模拟开关进行轮巡切换，将信号传输到精密全波整流电路和低通滤波电路，转换成直流电压信号，通过ADC采样模块进行采集，主控模块通过计算两路信号直流电压值与精密电阻上的直流电压值的比值求解出电导率值。本发明可以适应不同应用场景，提供更准确的测量结果。
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公开(公告)号：CN118067259A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410209093.2
申请日：2024-02-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及温度传感器封装技术领域，具体涉及一种高温四线制高精度铂电阻薄膜温度传感器封装结构，包括耐高温管壳、铂薄膜电阻、耐高温电极引线和耐高温导线，铂薄膜电阻封装在耐高温管壳内，两组耐高温电极引线外侧分别包裹高温隔热胶带，耐高温电极引线尾端伸入耐高温管壳内，与铂薄膜电阻焊接，焊接处点涂玻璃浆料形成玻璃浆料保护层，耐高温电极引线前端与耐高温导线焊接，且耐高温管壳左侧开口处中填充耐高温隔热胶，保证耐高温管壳与外界隔绝。将耐高温导线连接后端电路，应用于高温环境温度测量。本发明具有耐高温、耐腐蚀、制造成本低等特点,解决传统铂电阻温度传感器工作温度范围窄和封装工艺繁琐的问题，可实现低成本、批量化生产。
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公开(公告)号：CN117647337A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311614866.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明涉及压力传感器领域，具体涉及一种低阻尼的石英谐振式压力传感器，由盖帽、谐振片和盖帽组成，所述谐振片采用多孔网筛结构。本发明利用飞秒激光加工技术，在谐振片中心进行多孔网筛，一方面，多孔网筛在几何尺度上保证了谐振片的对称性，使得能陷区被限制在谐振片的中心，即振动能量主要集中在电极区，从而使得传感器将具有较高的灵敏度及分辨率。另一方面，通过谐振片中心多孔网筛，有力地减小了石英谐振片在非真空环境下振动的空气阻尼，从而减小了器件与空气作用而导致的能量耗散，这对于提高传感器的长期稳定性以及抗干扰能力都具有十分重要的作用。
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公开(公告)号：CN118516717A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410576822.8
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D5/18 , C25D5/00 , C25D3/50 , C25D7/00 , C25B11/081 , C25B11/031 , C25B1/04 , H01M4/92 , H01M4/88
Abstract: 本发明涉及电化学领域，具体涉及一种厚度可控的高比表铂黑电极及其制备方法和应用,制备时，包括如下步骤：选择表面平整且具备良好导电性的铂金属基底；完成铂金属基底清洗、去除表面氧化物等预处理；将预处理后的铂金属基底置于电解质溶液中，以铂金属基底为阴极，开始脉冲电流电镀过程，通过脉冲信号电流电镀参数的调控，在脉冲电流电镀过程中形成高比表的藤壶簇结构。本发明采用脉冲电流电镀技术，通过精确调控电流密度等参数，成功实现了对电极厚度的可控制备，并形成了高比表的藤壶簇结构。这种结构不仅增加了电极的活性位点，还提高了电化学反应的效率，为提高溶液离子检测能力提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN118268204A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410576634.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: B05C11/02
Abstract: 本发明属于内壁涂层涂覆机械技术领域，具体涉及一种管内部制备金属电极的均匀刮涂装置，包括支架、主动轮、转轴、砝码、石英管和刮片，所述支架固定于桌面上，两支架之间通过转轴安装有一主动轮，所述转轴带动主动轮转动，通过舵机或手摇转轴控制转速，所述主动轮上部设置有一石英管，所述石英管与主动轮之间紧密相切，所述刮片穿过石英管内部并限位于所需涂覆区域处，所述刮片两端带有限制管，放有砝码，用于对刮片施加压力。本发明可实现在石英管内壁区域性涂覆铂浆，提高了石英管内壁涂层的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118010235A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410209095.1
申请日：2024-02-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于黏菌群优化和卡尔曼滤波的压力传感器温度补偿方法，其通过外接温度传感器实时监测环境温度，并将温度数据引入系统，作为压力传感器输出的校准基准；考虑了温度对传感器输出的影响，其基于扩展卡尔曼滤波建立状态方程和观测方程，实现压力传感器的温度补偿；同时，为了获得最佳的扩展卡尔曼滤波参数，其基于黏菌群优化算法的实现扩展卡尔曼滤波参数的实时优化，以最大程度地提高温度补偿算法的效能。本发明通过实施基于黏菌群优化和扩展卡尔曼滤波的压力传感器温度补偿算法，并结合实时动态调整机制，实现对压力传感器在不同温度下的精确测量，提高其稳定性和准确性，从而为各种应用场景提供可靠的压力数据支持。
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公开(公告)号：CN117958784A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410244605.9
申请日：2024-03-05
Applicant: 厦门大学
IPC: A61B5/024
Abstract: 本发明涉及人体脉搏信号采集技术领域，具体涉及一种面向中医脉诊传感器的随动机构，包括上卡口、一号弹簧、旋转块、连接轴、脉诊传感器模块、二号弹簧和连接件，上卡口放置于连接轴上，两侧分别通过一号弹簧，二号弹簧与脉诊传感器模块相连接；旋转块前端为圆弧结构，与脉诊传感器模块相接触，旋转块后端与脉诊传感器模块通过自润滑光轴连接，上端通过螺纹与连接轴相连；连接件安装在连接轴的上端，位于上卡口与连接轴之间，连接件上留有4个用于与控制装置连接的通孔。本发明通过双弹簧形变以及光轴单点固定的机构，使得脉诊传感器模块具有旋转的自由度，在被测者轻微旋转手臂时，传感器能够实现跟随测量，进而减少测试过程中的误差。
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公开(公告)号：CN117558833A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311614864.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/105
Abstract: 本发明涉及硅基紫外光电传感器领域，具体涉及一种自建外电场调制的硅基增强型紫外光电传感器的制备方法，其利用Bosch刻蚀和等离子体浸没刻蚀得到微纳米分层结构硅纳米锥，有效消除表面反射；采用低能离子注入形成浅结；采用扩散增强模式的共形原子层沉积技术沉积氧化铝薄膜，高质量沉积的氧化铝薄膜不仅保证了表面的有效钝化，有效抑制光生载流子表面瑕疵点复合，同时引入负电荷富集层，形成自建外电场抑制载流子复合损耗，并对载流子移动进行主动调制，硅纳米锥的俘光能力与氧化铝引入的自建外电场协同增强，对光生电子空穴对进行更加高效的收集，将探测的范围扩展到紫外光范围的同时获得理想的量子效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN221725439U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202420779649.7
申请日：2024-04-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本实用新型涉及传感器技术领域，具体涉及一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器，包括硅片，所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔，所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上，采用阶梯状设置，以110方向排布，横跨整个应力集中区域；所述欧姆接触区与电阻的边缘接触，所述背腔采用深硅刻蚀制备。本实用新型采用阶梯式的电阻设计，扩大了电阻的纵向尺寸，对光刻、刻蚀过程中引入的操作误差得到了较好的补偿，保证了制造过程中的良率。
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公开(公告)号：CN221977942U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202421007480.X
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基弱紫外成像阵列器，由10×10个单元构成，每个单元均由硅衬底、硅纳米锥结构、离子注入区、氧化铝薄膜以及金电极构成，硅纳米锥结构由尺寸与紫外波长匹配的纳米孔结构与微米孔结构分层复合所得，离子注入区包括P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区位于硅片正面，N型掺杂区位于硅片背面；氧化铝薄膜共形沉积在硅纳米锥结构的上方，形成钝化层；金电极包括设置在硅片正面的上电极和设置在硅片背面的下电极。利用独有的硅纳米锥表面，提高了紫外光初始吸收效率。并形成高质量的氧化铝异质结薄膜，不仅起到钝化层的作用，减少表面复合，同时引入外电场，加速载流子移动能力，有效调控载流子的运输，减少内部俄歇复合。
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