公开(公告)号：CN103788943A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410081670.0

申请日：2014-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  郑将辉 ,  应莉莉 ,  蔡丽晗 ,  陈蓉 ,  范宝殿

IPC: C09K11/61 ,  H01L31/055

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。

公开(公告)号：CN103094394A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310019710.4

申请日：2013-01-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  蔡丽晗 ,  王荣 ,  范宝殿 ,  程浩然 ,  任先培 ,  郑将辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。

公开(公告)号：CN105036565B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201510458298.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  应莉莉 ,  杨星 ,  郑将辉 ,  蔡丽晗

IPC: C03C17/23

Abstract: 本发明公开了一种下转换光伏玻璃及其制备方法，该下转换光伏玻璃包括超白光伏玻璃层及位于该超白光伏玻璃层一表面上的厚度为80～100nm的发光薄膜，该发光薄膜的原料为SiO2:xEu3+,xNa+，x＝0.002～0.2，该超白光伏玻璃层中Fe2O3含量为0.005％～0.01％，且具有抗反射的绒面结构。本发明的下转换光伏玻璃可以有效的吸收掉照射至太阳能电池的短波光，然后发射出能量较低的长波光，增加太阳能电池的可见光波段的光谱响应，从而提高太阳能电池的光利用率和光电转换效率。

公开(公告)号：CN103788943B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410081670.0

申请日：2014-03-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  郑将辉 ,  应莉莉 ,  蔡丽晗 ,  陈蓉 ,  范宝殿

IPC: C09K11/61 ,  H01L31/055

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。

公开(公告)号：CN104638037A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510080450.0

申请日：2015-02-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  陈蓉 ,  范宝殿 ,  郑将辉 ,  蔡丽晗

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅，所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×1019cm-3～6×1020cm-3，所述红外吸收层与衬底之间形成p-n结。本发明的镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料具有较强的红外吸收能力，在室温状态下具有较高的光电探测率，可广泛应用于光纤通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外探测器的制作。本发明还提供了上述材料的制备方法。