公开(公告)号：CN114160175A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202010846668.3

申请日：2020-08-20

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/185 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  C25B11/069

Abstract: 本发明公开了半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体光催化结构包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触；第一半导体层和第二半导体层带隙能不低于1.8ev，第一半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由第一半导体层指向与其直接接触半导体层、第一半导体层导带底比H2O/H2还原电势更负，第二半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由与其直接接触的半导体层指向第二半导体层、第二半导体层价带顶比O2/H2O氧化电势更正。

公开(公告)号：CN113893869A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010641148.9

申请日：2020-07-06

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/18 ,  B01J27/04 ,  B01J37/02 ,  B01J37/34 ,  C01B3/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B01J27/185

Abstract: 本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括：第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设在第二半导体层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层中至少之一的厚度不超出所述半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性，从而提高基于半导体异质/同质结的光全解水催化体系的光转化效率和拓展可选择的光催化材料，解决现有技术中光催化剂只能光解水制氢或降解污染物以及光全解水时效率低下的难题。

公开(公告)号：CN112414534A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011116329.6

申请日：2020-10-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄文财 ,  林芳 ,  熊彦彬 ,  胡路 ,  吕莉萍

IPC: G01H9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于自混合干涉的相位倍增振幅测量方法、介质、设备及装置，其中方法包括：向待测振动物体表面发射激光，并获取待测振动物体返回的反射光或散射光，以及根据返回的反射光或散射光生成相应的第一自混合信号；对所述第一自混合信号进行放大和去噪处理，以生成第二自混合信号；对所述第二自混合信号进行相位倍增计算，以提高所述第二自混合信号中的条纹精度，并根据相位解包裹算法计算待测振动物体的振幅；能够在不改变简单光学结构的前提下，有效提高自混合干涉系统的测量精度。

公开(公告)号：CN119687800A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411828770.5

申请日：2024-12-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄文财 ,  郑雄 ,  毛晓涵 ,  张双溪 ,  陈汉桥

IPC: G01B11/02 ,  G01B9/02 ,  G01S7/48

Abstract: 本发明公开了基于复指数变换的激光自混合干涉位移测量方法及装置，其中方法包括以下步骤：S1：获得自混合干涉信号P；S2：以虚数单位i*P作为指数，构造复指数自混合干涉信号Xi*P，其中X为底数；S3：对所述复指数自混合干涉信号Xi*P进行时频变换，获得时频矩阵M＝[t,f,A]，其中t为时间；f为频率；A为对应矩阵幅值；S4：提取每个时刻t最大幅值At所对应的频率ft，记为瞬时频率，并构造新矩阵N＝[t,ft]；S5：对所述瞬时频率ft进行积分，获得t时刻的重构位移。本发明摆脱了基于时频谱积分重建算法对目标运动方向提前预估的依赖性，实现了对稳态或非稳态位移的高精度实时重构。

公开(公告)号：CN114160175B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202010846668.3

申请日：2020-08-20

Applicant: 吕锋仔 ,  厦门大学

Inventor： 吕锋仔 ,  黄文财

IPC: B01J27/185 ,  C25B1/04 ,  C25B11/091 ,  C25B11/069

Abstract: 本发明公开了半导体光催化结构及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体光催化结构包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触；第一半导体层和第二半导体层带隙能不低于1.8ev，第一半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由第一半导体层指向与其直接接触半导体层、第一半导体层导带底比H2O/H2还原电势更负，第二半导体层厚度和与其直接接触半导体层厚度均超出空间电荷区宽度、其内建电场方向由与其直接接触的半导体层指向第二半导体层、第二半导体层价带顶比O2/H2O氧化电势更正。